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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of InGaN/GaN laser degradation based on luminescence properties 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 119, 期号: 21 作者:  Wen, PY(温鹏雁);  Zhang, SM(张书明);  Liu, JP(刘建平);  Li, DY(李德尧);  Zhang, LQ(张立群) 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2017/03/11 Influence of residual carbon impurities in i-GaN layer on the performance of GaN-based p-i-n photodetectors 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1 作者:  Li, XJ;  Zhao, DG;  Jiang, D;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/03/11 Synthesis of Mn doping Ag-In-Zn-S nanoparticles and their photoluminescence properties 期刊论文 MATERIALS & DESIGN, 2016, 卷号: 91 作者:  Tang, XS;  Zu, ZQ;  Bian, LF(边历峰);  Du, JH;  Chen, WW 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2017/03/11 Effects of Ultrathin AlAs Interfacial Layer on Photoluminescence Properties of GaInP Epilayer Grown on Ge 期刊论文 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2016, 卷号: 45, 期号: 1 作者:  Chen, JX(陈俊霞);  He, W;  Jia, SP;  Jiang, DS;  Lu, SL(陆书龙) 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/03/11 Influence of InGaN growth rate on the localization states and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 卷号: 97 作者:  Li, X;  Zhao, DG;  Yang, J;  Jiang, DS;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/03/11 Shockley-Read-Hall recombination and efficiency droop in InGaN/GaN multiple-quantum-well green light-emitting diodes 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 49, 期号: 14 作者:  Liu, W;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2017/03/11 Control of threading dislocations by Al(Ga)InAs reverse-graded buffers grown on GaAs substrates 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 55, 期号: 6 作者:  He, Y(何洋);  Sun, YR(孙玉润);  Song, Y;  Zhao, YM(赵勇明);  Yu, SZ(于淑珍) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11 Effects of thickneb on optical characteristics and strain distribution of thin-film GaN light-emitting diodes transferred to Si substrates 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 4 作者:  Li, H;  Shi, YD;  Feng, MX(冯美鑫);  Sun, Q(孙钱);  Lu, TC 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/03/11 Study of optical properties of bulk GaN crystals grown by HVPE 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 674 作者:  Gu, H(顾泓);  Ren, GQ(任国强);  Zhou, TF(周桃飞);  Tian, FF(田飞飞);  Xu, Y(徐俞) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/03/11 Stress Induced Microstructure Evolution of AlN: Er Film at Different Annealing Temperature 期刊论文 JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2016, 卷号: 31, 期号: 3 作者:  Yang, MM(阳明明);  Mo, YJ;  Wang, XD;  Zeng, XH(曾雄辉);  Liu, XH(刘雪华) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/11