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| 具有非对称后退阱和背栅的SOI器件 专利
专利号: CN201520575137.X, 申请日期: 2015-12-23,
作者: 朱慧珑 ; 张严波; 钟健
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| 使源/漏区更接近沟道区的MOS器件及其制作方法 专利
专利号: CN201210089963.4, 申请日期: 2015-12-16, 公开日期: 2013-10-23
作者: 秦长亮; 叶甜春; 殷华湘
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| 采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放方法 专利
专利号: CN201210062362.4, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2013-09-18
作者: 卢狄克; 李志刚; 刘瑞文; 陈大鹏; 尚海平
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| CMOS及其制造方法 专利
专利号: CN201210083460.6, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2013-10-23
作者: 殷华湘; 马小龙; 徐秋霞; 陈大鹏
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| 小尺寸鳍形结构的制造方法 专利
专利号: CN201110261527.6, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2013-03-20
作者: 杨涛; 赵超; 李俊峰; 卢一泓
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| 一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201210483461.X, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2013-03-27
作者: 史晶晶; 白云; 刘可安; 申华军; 汤益丹
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210065168.1, 申请日期: 2015-12-02, 公开日期: 2013-09-18
作者: 叶甜春; 朱慧珑; 李春龙; 罗军; 钟汇才
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110165239.0, 申请日期: 2015-12-02, 公开日期: 2012-12-26
作者: 王桂磊; 李春龙; 赵超; 李俊峰
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| 一种非易失性存储器及其制备方法 专利
专利号: CN201210026223.6, 申请日期: 2015-12-02, 公开日期: 2013-08-14
作者: 谢常青; 霍宗亮; 朱晨昕; 许中广; 刘明
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| 碳膜保护对高温激活SiC 表面形貌的影响 期刊论文
电子器件, 2015
作者: 周正东; 申华军; 史晶晶; 王弋宇; 李诚瞻
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