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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [7]
会议论文 [1]
发表日期
2003 [8]
学科主题
半导体材料 [8]
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共8条,第1-8条
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发表日期:2003
学科主题:半导体材料
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Controllable growth of semiconductor nanometer structures
期刊论文
microelectronics journal, 2003, 卷号: 34, 期号: 5-8, 页码: 379-382
Wang ZG
;
Wu J
收藏
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浏览/下载:289/9
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提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy
nanostructures
INAS QUANTUM DOTS
SELF-ORGANIZATION
MONOLAYER COVERAGE
DENSITY
GAAS
ISLANDS
INP(001)
EPITAXY
Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2003, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 620-626
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:252/65
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提交时间:2010/08/12
gallium nitride
MOCVD
in situ laser reflectometry
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
IN-SITU
SAPPHIRE SUBSTRATE
NUCLEATION LAYERS
FILMS
High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE
会议论文
symposium on gan and related alloys held at the 2002 mrs fall meeting, boston, ma, dec 02-06, 2002
Wang JX
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hu GX
;
Liu HX
;
Lin LY
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/10/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ION-SCATTERING SPECTROSCOPY
LATTICE POLARITY
SINGLE-CRYSTALS
FILMS
POLARIZATION
GAN(0001)
SURFACES
GROWTH
DIODES
Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of GaInAs/GaNAs quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/08/12
interdiffusion
post-annealing
quantum wells
GaInNAs/GaAs
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CARRIER LOCALIZATION
GAINNAS
LUMINESCENCE
ORIGIN
GAASN
Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369
Dong HW
;
Zhao YW
;
Zeng YP
;
Jiao JH
;
Li JM
;
Lin LY
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
diffusion
interfaces
substrates
molecular beam epitaxy
phosphides
semiconducting indium phosphide
UNDOPED SEMIINSULATING INP
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHOSPHIDE VAPOR
FE
INTERFACE
PHOTOLUMINESCENCE
WAFER
UNIFORMITY
DIFFUSION
PRESSURE
Epitaxial growth and characterization of SiC on C-plane sapphire substrates by ammonia nitridation
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 1-8
Luo MC
;
Li JM
;
Wang QM
;
Sun GS
;
Wang L
;
Li GR
;
Zeng YP
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
infrared reflectivity
Raman
sapphire substrate
X-ray diffraction
chemical vapor deposition
SiC
GAN
FILMS
Influence of high-temperature AIN buffer thickness on the properties of GaN grown on Si(111)
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 258, 期号: 1-2, 页码: 34-40
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:299/12
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提交时间:2010/08/12
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
semiconductor III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HIGH-QUALITY GAN
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
INTERMEDIATE LAYER
ALAS
ALN
SURFACES
SILICON
FILMS
Method for measurement of lattice parameter of cubic GaN layers on GaAs (001)
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 345-348
Zheng XH
;
Wang YT
;
Feng ZH
;
Yang H
;
Chen H
;
Zhou JM
;
Liang JW
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
in-plane strain
lattice parameters
triple-axis diffraction
c-GaN
GROWTH
FILMS
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