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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2002 [4]
学科主题
半导体材料 [3]
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发表日期:2002
专题:半导体研究所
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Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating inp wafers
期刊论文
Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2002, 卷号: 91, 页码: 521-524
作者:
Zhao, YW
;
Sun, NF
;
Dong, HW
;
Jiao, JH
;
Zhao, JQ
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浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Indium phosphide
Semi-insulating
Annealing
Picts
Photoluminescence
Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers
会议论文
9th international conference on defects: recognition, imaging and physics in semiconductors (drip ix), rimini, italy, sep 24-28, 2001
Zhao YW
;
Sun NF
;
Dong HW
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Sun TN
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2010/11/15
indium phosphide
semi-insulating
annealing
PICTS
photoluminescence
SEMIINSULATING INP
INDIUM-PHOSPHIDE
FE
PHOTOLUMINESCENCE
TEMPERATURE
非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性
期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 53-56
董宏伟
;
赵有文
;
焦景华
;
赵建群
;
林兰英
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2010/11/23
Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2002, 卷号: 91, 期号: 0, 页码: 521-524
Zhao YW
;
Sun NF
;
Dong HW
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Sun TN
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:82/19
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提交时间:2010/08/12
indium phosphide
semi-insulating
annealing
PICTS
photoluminescence
SEMIINSULATING INP
INDIUM-PHOSPHIDE
FE
PHOTOLUMINESCENCE
TEMPERATURE
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