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A Maximum Cache Value Policy in Hybrid Memory-Based Edge Computing for Mobile Devices
期刊论文
IEEE INTERNET OF THINGS JOURNAL, 2019, 卷号: 6, 页码: 4401-4410
作者:
Jia, Gangyong
;
Han, Guangjie
;
Du, Jiaxin
;
Chan, Sammy
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/12/02
Big data
cache
edge computing
mobile devices
phase-change memory (PCM)
Polarity-dependent resistance switching in crystalline Ge1Sb4Te7 film
期刊论文
AIP ADVANCES, 2019, 卷号: 9
作者:
Liu, Bin
;
Hu, Shuwei
;
Zhou, Jian
;
Sun, Zhimei
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2019/12/30
Amorphous materials
Antimony compounds
Calculations
Crystalline materials
Energy utilization
Germanium compounds
Phase change memory
Switching
Tellurium compounds
Van der Waals forces
Ab initio calculations
Amorphous chalcogenide
Density difference
Density variations
High energy consumption
Phase change memory (pcm)
Resistance switching
Reversible phase transition
Phase change materials
State Asymmetry Driven State Remapping in Phase Change Memory
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTER-AIDED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS, 2017, 卷号: 36, 期号: 1, 页码: 27-40
作者:
Zhao, Mengying
;
Xue, Yuan
;
Hu, Jingtong
;
Yang, Chengmo
;
Liu, Tiantian
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/12
Asymmetry
energy
performance
phase change memory (PCM)
state
remapping
wear
PSI Conscious Write Scheduling: Architectural Support for Reliable Power Delivery in 3-D Die-Stacked PCM
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2016, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 1613-1625
作者:
Wang, Ying
;
Han, Yinhe
;
Li, Huawei
;
Zhang, Lei
;
Cheng, Yuanqing
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/12/13
3-D integration
IR-drop
phase-change memory (PCM)
through-silicon-via (TSV)
write throughput
基于PCM的分布式文件系统写缓存机制
期刊论文
2016, 2016
李帅
;
蔡涛
;
肖铁军
;
陆游游
;
LI Shuai
;
CAI Tao
;
XIAO Tie-jun
;
LU You-you
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浏览/下载:6/0
PSI Conscious Write Scheduling: Architectural Support for Reliable Power Delivery in 3-D Die-Stacked PCM
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2016, 卷号: 24, 页码: 1613-1625
作者:
Wang, Ying
;
Han, Yinhe
;
Li, Huawei
;
Zhang, Lei
;
Cheng, Yuanqing
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/30
3-D integration
IR-drop
phase-change memory (PCM)
through-silicon-via (TSV)
write throughput
Optimization of 40-nm Node Epitaxial Diode Array for Phase-Change Memory Application
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 卷号: 33, 期号: 8, 页码: 1192-1194
Liu, Y
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Wu, GP
;
Chen, HP
;
Zhang, C
;
Wang, LH
;
Feng, SL
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2013/04/17
Buried n(+) layer (BNL) series resistance
epitaxial (EPI) diode array
numerical model
phase-change memory (PCM)
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