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| Carbazole-degradative IncP-7 plasmid pCAR1.2 is structurally unstable in Pseudomonas fluorescens Pf0-1, which accumulates catechol, the intermediate of the carbazole degradation pathway 期刊论文
Applied and Environmental Microbiology, 2009, 卷号: 75, 期号: 12, 页码: 3920-3929
作者: Takahashi, Yurika; Shintani, Masaki; Li, Li; Yamane, Hisakazu; Nojiri, Hideaki
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| Manufacture of semiconductor device 专利
专利号: JP1992010485A, 申请日期: 1992-01-14, 公开日期: 1992-01-14
作者: ONOUCHI TOSHIHIKO; NOJIRI HIDEAKI
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| Manufacture of ridge laser 专利
专利号: JP1991165086A, 申请日期: 1991-07-17, 公开日期: 1991-07-17
作者: ONOUCHI TOSHIHIKO; NOJIRI HIDEAKI
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| Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1991125489A, 申请日期: 1991-05-28, 公开日期: 1991-05-28
作者: ONOUCHI TOSHIHIKO; NOJIRI HIDEAKI
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| Buried heterostructure semiconductor laser device and manufacture thereof 专利
专利号: JP1991119777A, 申请日期: 1991-05-22, 公开日期: 1991-05-22
作者: NOJIRI HIDEAKI
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| Semiconductor device 专利
专利号: JP1990214035A, 申请日期: 1990-08-27, 公开日期: 1990-08-27
作者: NOJIRI HIDEAKI
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| Semiconductor device 专利
专利号: JP1989181586A, 申请日期: 1989-07-19, 公开日期: 1989-07-19
作者: NOJIRI HIDEAKI
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| Semiconductor laser array 专利
专利号: JP1988292688A, 申请日期: 1988-11-29, 公开日期: 1988-11-29
作者: SEKIGUCHI YOSHINOBU; NOJIRI HIDEAKI; HASEGAWA MITSUTOSHI; MIYAZAWA SEIICHI; HARA TOSHITAMI
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| Semiconductor light emitting device 专利
专利号: JP1988233586A, 申请日期: 1988-09-29, 公开日期: 1988-09-29
作者: NOJIRI HIDEAKI; SEKIGUCHI YOSHINOBU; HASEGAWA MITSUTOSHI; MIYAZAWA SEIICHI; HARA TOSHITAMI
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| Manufacture of semiconductor laser device 专利
专利号: JP1987269380A, 申请日期: 1987-11-21, 公开日期: 1987-11-21
作者: HASEGAWA MITSUTOSHI; HARA TOSHITAMI; NOJIRI HIDEAKI; SEKIGUCHI YOSHINOBU; MIYAZAWA SEIICHI
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