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| 一种发光效率增强的半导体激光器 专利
专利号: CN106410605B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
作者: 魏志鹏; 方铉; 牛守柱; 唐吉龙; 王登魁
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| 一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法 专利
专利号: CN108183391B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
作者: 魏志鹏; 贾慧民; 唐吉龙; 牛守柱; 王登魁
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| 14 μm quantum cascade lasers based on diagonal transition and nonresonant extraction 期刊论文
Photonics Research, 2019, 卷号: 7, 期号: 11, 页码: 1244-1248
作者: Shouzhu Niu; Junqi Liu; Fengmin Cheng; Huan Wang; Jinchuan Zhang; Ning Zhuo; Shenqiang Zhai; Lijun Wang; Shuman Liu; Fengqi Liu; Zhanguo Wang; Xiaohua Wang; Zhipeng Wei
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| 一种窄线宽半导体激光器 专利
专利号: CN108054634A, 申请日期: 2018-05-18, 公开日期: 2018-05-18
作者: 魏志鹏; 唐吉龙; 贾慧民; 方铉; 房丹
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| Improved performance of InP-based 2.1 µm InGaAsSb quantum well lasers using Sb as a surfactant 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 113, 页码: 251101
作者: Dongbo Wang; Ning Zhuo; Yue Zhao; Fengmin Cheng; Shouzhu Niu; Jinchuan Zhang, Shenqiang Zhai, Lijun Wang; Shuman Liu; Fengqi Liu; Zhanguo Wang
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| Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器 专利
专利号: CN104638517B, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04
作者: 唐吉龙; 魏志鹏; 方铉; 房丹; 高娴
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| Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器 专利
专利号: CN104638517B, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04
作者: 唐吉龙; 魏志鹏; 方铉; 房丹; 高娴
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| PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文） 期刊论文
红外与激光工程, 2016, 期号: 4, 页码: 219-222
作者: 陈芳; 方铉; 王双鹏; 牛守柱; 方芳
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| 氨基酸表面修饰的复合磁性微纳米颗粒及制备方法和用途 专利
申请日期: 2016-02-17,
作者: 干为; 朱雪锋; 李守柱; 杨艳艳; 牛园园
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| 氨乙基氨丙基修饰的四氧化三铁的制备方法及用途 专利
申请日期: 2016-01-27,
作者: 李守柱; 朱雪锋; 杨艳艳; 牛园园; 吴畏
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