QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：安徽大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interface chemistry and electronic structure of ALD-derived HfAlO/Ge gate stacks revealed by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: Vol.716, 页码: 1-6 作者:  Liu,Yanmei;  Sun,Zhaoqi;  Jiang,Shanshan;  Li,Jing;  Liu,Mao 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/24 ATOMIC-LAYER-DEPOSITION  DIELECTRICS  AL2O3  HFO2   Modification of electrical properties and carrier transportation mechanism of ALD-derived HfO2/Si gate stacks by Al2O3 incorporation 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: Vol.667, 页码: 352-358 作者:  Sun,Zhaoqi;  Liu,Mao;  Chen,Hanshuang;  Gao,Juan;  Xiao,Dongqi 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/22 TEMPERATURE-DEPENDENCE  LEAKAGE CURRENT  DIELECTRICS  OXIDE  FILMS  SI  CAPACITORS  THICKNESS   Microstructure, optical and electrical properties of solution-derived peroxo-zirconium oxide gate dielectrics for CMOS application 期刊论文 Ceramics International, 2016, 卷号: Vol.42 No.1Part A, 页码: 759-766 作者:  Sun,Zhaoqi;  Lv,Jianguo;  Liu,Mao;  Xiao,Dongqi;  Jin,Peng 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/22 ATOMIC LAYER DEPOSITION  OXYGEN PARTIAL-PRESSURE  ZRO2 THIN-FILMS  TEMPERATURE-DEPENDENCE  ROOM-TEMPERATURE  STACKS  SEMICONDUCTOR  ELLIPSOMETRY  TRANSISTORS  OXIDATION   A 2-D semi-analytical model of subthreshold surface potential for double doping polysilicon gate MOSFET 期刊论文 Journal of Computational Information Systems, 2015, 卷号: Vol.11 No.3, 页码: 883-892 作者:  Xu,Jianbin;  Yang,Jin;  Dai,Yuehua;  Zheng,Changyong;  Li,Ning 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/04/22 Effects of Non-Uniform Channel Geometry on Double-Gate MOSFET Performance 期刊论文 Telkomnika - Indonesian Journal of Electrical Engineering, 2014, 卷号: Vol.12 No.10 作者:  Yuehua, Dai;  Jianbin, Xu;  Jin, Yang;  Changyong, Zheng;  Huifang, Xu 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/24 double  gate  MOSFETs,  non-uniform  channel  geometry,  short-channel  effects,  on-state  current.   An Improved Phase Comparator for the Fast-Locking All Digital SARDLL 期刊论文 Applied Mechanics and Materials, 2013, 卷号: Vol.303-306, 页码: 1849-1853 作者:  Chen,Junning;  Xu,Tailong;  Lu,Shibin;  Pan,Hao;  Zheng,Changyong 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/24 DELAY-LOCKED LOOP  ALGORITHM