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半导体研究所 [156]
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发表日期
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2014 [9]
2012 [20]
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Valley-dependent properties of monolayer MoSi2N4, WSi2N4, and MoSi2As4
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2020, 卷号: 102, 页码: 235435
作者:
Li, S (Li, Si)
;
Wu, WK (Wu, Weikang)
;
Feng, XL (Feng, Xiaolong)
;
Guan, S (Guan, Shan)
;
Feng, WX (Feng, Wanxiang)
;
Yao, YG (Yao, Yugui)
;
Yang, SA (Yang, Shengyuan A.)
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2021/05/21
Mechanical properties of individual InAs nanowires studied by tensile tests
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 10, 页码: 103110
Li, X
;
Wei, XL
;
Xu, TT
;
Ning, ZY
;
Shu, JP
;
Wang, XY
;
Pan, D
;
Zhao, JH
;
Yang, T
;
Chen, Q
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2015/03/25
Mobility limited by cluster scattering in ternary alloy quantum wires
期刊论文
chinese physics b, 2014, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 017305
Zhang, H
;
Yang, SY
;
Liu, GP
;
Wang, JX
;
Jin, DD
;
Li, HJ
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/05/11
Competitive growth mechanisms of AlN on Si (111) by MOVPE
期刊论文
scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 6416
Feng, YX
;
Wei, HY
;
Yang, SY
;
Chen, Z
;
Wang, LS
;
Kong, SS
;
Zhao, GJ
;
Liu, XL
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2015/03/25
Morphology and structure controlled growth of one-dimensional AlN nanorod arrays by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
rsc advances, 2014, 卷号: 4, 期号: 97, 页码: 54902-54906
Kong, SS
;
Wei, HY
;
Yang, SY
;
Li, HJ
;
Feng, YX
;
Chen, Z
;
Liu, XL
;
Wang, LS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2015/03/20
Anisotropic scattering effect of the inclined misfit dislocation on the two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructures
期刊论文
journal of applied physics, 2014, 卷号: 115, 期号: 4, 页码: 043702
Jin, DD
;
Wang, LS
;
Yang, SY
;
Zhang, LW
;
Li, HJ
;
Zhang, H
;
Wang, JX
;
Xiang, RF
;
Wei, HY
;
Jiao, CM
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/03/20
Significant quality improvement of GaN on Si upon formation of an AlN defective layer
期刊论文
crystengcomm, 2014, 卷号: 16, 期号: 32, 页码: 7525-7528
Feng, YX
;
Wei, HY
;
Yang, SY
;
Zhang, H
;
Kong, SS
;
Zhao, GJ
;
Liu, XL
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/03/25
Interface roughness scattering considering the electrical field fluctuation in undoped AlxGa1-xN/GaN heterostructures
期刊论文
semiconductor science and technology, 2014, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 045015
Feng, YX
;
Liu, GP
;
Yang, SY
;
Wei, HY
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2015/04/02
Identification of Helicity-Dependent Photocurrents from Topological Surface States in Bi2Se3 Gated by Ionic Liquid
期刊论文
scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 4889
Duan, JX
;
Tang, N
;
He, X
;
Shen, B
;
Yan, Y
;
Zhang, S
;
Qin, XD
;
Wang, XQ
;
Yang, XL
;
Xu, FJ
;
Chen, YH
;
Ge, WK
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2015/04/02
Efficiency improvement by polarization-reversed electron blocking structure in GaN-based light-emitting diodes
期刊论文
optics express, 2014, 卷号: 22, 期号: 9, 页码: a1001-a1008
Ji, XL
;
Wei, TB
;
Yang, FH
;
Lu, HX
;
Wei, XC
;
Ma, P
;
Yi, XY
;
Wang, JX
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
;
Li, JM
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/04/02
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