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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Investigation of Mn-doped Si films prepared by magnetron cosputtering 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 291, 期号: 1, 页码: 239-242 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/04/11 Mn doping  magnetron sputtering  MnxSi1-x  diluted magnetic  THIN-FILMS  SPIN-PHOTONICS  SEMICONDUCTORS  GROWTH  FERROMAGNETISM  SPINTRONICS   Growth and properties of magnetron cosputtering grown Mn(x)Ge(1-x)on Si(001) 期刊论文 solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 3, 页码: 126-128 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2010/04/11 magnetron sputtering  MnxGe1-x  ferromagnetism  N-TYPE GE  FERROMAGNETISM  SEMICONDUCTOR  SPINTRONICS   Investigation of Mn-implanted n-Si by low-energy ion beam deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 458-463 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/03/17 auger electron spectroscopy   Gal(1-x)Mn(1-x)Sb grown on GaSb with mass-analyzed low-energy dual ion beam deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 272-275 Chen CL; Chen NF; Liu LF; Wu JL; Liu ZK; Yang SY; Chai CL 收藏  |  浏览/下载：51/21  |  提交时间：2010/03/17 X-ray diffraction   Magnetic properties of Mn-implanted n-type Ge 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 273, 期号: 1-2, 页码: 106-110 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/03/17 ferromagnetism   Investigation of Mn-implanted n-type Ge 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 3-4, 页码: 466-470 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：104/34  |  提交时间：2010/03/09 Auger electron spectroscopy   FexSi grown with mass-analyzed low-energy dual ion beam deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 263, 期号: 1-4, 页码: 143-147 Liu LF; Chen NF; Zhang FQ; Chen CL; Li YL; Yang SY; Liu Z 收藏  |  浏览/下载：80/34  |  提交时间：2010/03/09 Auger electron spectroscopy   The effects of rapid thermal annealing on the optical properties of Zn1-xMnxSe epilayer grown by MOCVD on GaAs substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 3-4, 页码: 538-543 作者:  Zhang JY;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  metalorganic chemical vapor deposition  epilayer  semiconducting II-VI materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAP