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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Transient leakage current technique for MIS HEMT (A12O3/AlGaN/GaN) dielectric semiconductor interface property characterization 其他 2008-01-01 Wen, Cheng P.; Wang, Jinyan; Chen, Hongwei; Hao, Y.L.; Lau, K.M.; Tang, C.W. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/10 Transient Leakage Current Technique for MIS HEMT (Al(2)O(3)/AlGaN/GaN) Dielectric Semiconductor Interface Property Characterization 其他 2008-01-01 Wen, Cheng P.; Wang, Jinyan; Chen, Hongwei; Hao, Y. L.; Lau, K. M.; Tang, C. W. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 Enhanced device performance of AlGaN/GaN HEMTs using thermal oxidation of electron-beam deposited Aluminum for gate oxide 其他 2008-01-01 Chen, Hongwei; Wang, Jinyan; Xu, Chuan; Yu, Min; Fu, Yang; Dong, Zhihua; Xu, Fujun; Hao, Yilong; Wen, Cheng P. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/13 AlGaN/GaN MOS-HEMTs  leakage current  thermal oxidation  electron-beam evaporation  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  AL2O3