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	Transient Leakage Current Technique for MIS HEMT (Al(2)O(3)/AlGaN/GaN) Dielectric Semiconductor Interface Property Characterization
	Wen, Cheng P. ; Wang, Jinyan ; Chen, Hongwei ; Hao, Y. L. ; Lau, K. M. ; Tang, C. W.
	2008
英文摘要	Engineering, Electrical & Electronic; Physics, Applied; CPCI-S(ISTP); 0
语种	英语
内容类型	其他
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/293437]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	Wen, Cheng P.,Wang, Jinyan,Chen, Hongwei,et al. Transient Leakage Current Technique for MIS HEMT (Al(2)O(3)/AlGaN/GaN) Dielectric Semiconductor Interface Property Characterization. 2008-01-01.

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