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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Spectral dependence of spin photocurrent and current-induced spin polarization in an InGaAs/InAlAs two-dimensional electron gas 期刊论文 physical review letters, 2006, 卷号: 96, 期号: 18, 页码: art.no.186605 Yang CL; He HT; Ding L; Cui LJ; Zeng YP; Wang JN; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/04/11 INXGA1-XAS/INP QUANTUM-WELLS  SYSTEMS   Optical properties of phase-separated GaN1-xPx alloys grown by light-radiation heating metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文 chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 2081-2083 Lu LW; Chen TJ; Shen B; Wang JN; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：65/32  |  提交时间：2010/03/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   The effects of rapid thermal annealing on the optical properties of Zn1-xMnxSe epilayer grown by MOCVD on GaAs substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 3-4, 页码: 538-543 作者:  Zhang JY;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  metalorganic chemical vapor deposition  epilayer  semiconducting II-VI materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAP   Abnormal effect of growth interruption on GaSb quantum dots formation grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 99-104 Luo XD; Xu ZY; Wang YQ; Wang WX; Wang JN; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/08/12 growth interruption  molecular beam epitaxy  quantum dots  GaSb  WELLS   Analysis of the temperature-induced transition to current self-oscillations in doped GaAs/AlAs superlattices 期刊论文 semiconductor science and technology, 2001, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 239-242 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：95/11  |  提交时间：2010/08/12 GAAS-ALAS SUPERLATTICES  ELECTRIC-FIELD DOMAINS   ALPHA-SI-H/ALPHA-C-H AMORPHOUS-SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES 期刊论文 solid state communications, 1986, 卷号: 58, 期号: 6, 页码: 379-381 CHEN ZM; WANG JN; MEI XY; KONG GL 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15