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山东大学 [23]
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Low-temperature fabrication of HfAlO alloy dielectric using atomic-layer deposition and its application in a low-power device
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 页码: 543-549
作者:
Ma, Pengfei
;
Sun, Jiamin
;
Zhang, Guanqun
;
Liang, Guangda
;
Xin, Qian
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/11
High-Performance InGaZnO-Based ReRAMs
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: 66, 期号: 6, 页码: 2600-2605
作者:
Ma, Pengfei
;
Liang, Guangda
;
Wang, Yiming
;
Li, Yunpeng
;
Xin, Qian
收藏
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2019/12/11
Electrode
indium-gallium-zinc oxide (IGZO)
memory window
oxygen
plasma
resistive random access memories (ReRAMs)
retention time
Low-temperature fabrication of HfAlO alloy dielectric using atomic-layer deposition and its application in a low-power device
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 卷号: 792, 页码: 543-549
作者:
Ma, Pengfei
;
Sun, Jiamin
;
Zhang, Guanqun
;
Liang, Guangda
;
Xin, Qian
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/12/11
HfAlO
High-k
Gate insulator
A-InGaZnO
Thin-film transistor
Atomic
layer deposition
Low-power device
Electron transport mechanism through ultrathin Al2O3 films grown at low temperatures using atomic-layer deposition
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 卷号: 34, 期号: 10
作者:
Ma, Pengfei
;
Guo, Wenhao
;
Sun, Jiamin
;
Gao, Jiacheng
;
Zhang, Guanqun
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/11
ultrathin Al2O3
tunneling current
low temperature
atomic-layer
deposition
Electron transport mechanism through ultrathin Al2O3 films grown at low temperatures using atomic-layer deposition
期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2019, 卷号: 34, 期号: 10
作者:
Ma, Pengfei
;
Guo, Wenhao
;
Sun, Jiamin
;
Gao, Jiacheng
;
Zhang, Guanqun
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/11
Low voltage operation of IGZO thin film transistors enabled by ultrathin Al2O3gate dielectric
期刊论文
Applied Physics Letters, 2018, 卷号: 112, 期号: 2
作者:
Ma, Pengfei
;
Du, Lulu
;
Wang, Yiming
;
Jiang, Ran
;
Xin, Qian
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/11
Modeling and identification for soft sensor systems based on the separation of multi-dynamic and static characteristics
期刊论文
CHINESE JOURNAL OF CHEMICAL ENGINEERING, 2018, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 137-143
作者:
Cao, Pengfei
;
Luo, Xionglin
;
Song, Xiaohong
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/11
Soft sensor
Modeling
Characteristics separation
System
identification
Double auxiliary models
Half-volt operation of IGZO thin-film transistors enabled by ultrathin HfO2 gate dielectric
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 113, 期号: 6
作者:
Ma, Pengfei
;
Sun, Jiamin
;
Liang, Guangda
;
Li, Yunpeng
;
Xin, Qian
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/11
Low voltage operation of IGZO thin film transistors enabled by ultrathin Al2O3 gate dielectric
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 112, 期号: 2
作者:
Ma, Pengfei
;
Du, Lulu
;
Wang, Yiming
;
Jiang, Ran
;
Xin, Qian
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/11
Irradiation resistance study of binderless nanopore-isotropic graphite for use in molten salt nuclear reactors
期刊论文
NUCLEAR ENGINEERING AND DESIGN, 2018, 卷号: 335, 页码: 231-240
作者:
Liu, Min
;
Zhang, Wenting
;
Song, Jinliang
;
Zhang, Heyao
;
Lian, Pengfei
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/12/11
Nanopore-isotropic graphite
Irradiation stability
Microstructure
Mechanical properties
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