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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs 期刊论文 physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204 Deng HX (Deng Hui-Xiong); Li JB (Li Jingbo); Li SS (Li Shu-Shen); Peng HW (Peng Haowei); Xia JB (Xia Jian-Bai); Wang LW (Wang Lin-Wang); Wei SH (Wei Su-Huai) 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/12/27 IMPURITIES  GAAS1-XNX  NITROGEN  GAINNAS  STATES  TRAPS   Influence of semi-insulating inp substrates on inalas epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369 作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Zeng, YP;  Jiao, JH;  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Diffusion  Interfaces  Substrates  Molecular beam epitaxy  Phosphides  Semiconducting indium phosphide   Undoped semi-insulating indium phosphide (inp) and its applications 期刊论文 Chinese science bulletin, 2003, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: 313-314 作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Jiao, JH;  Zeng, YP;  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369 Dong HW; Zhao YW; Zeng YP; Jiao JH; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  interfaces  substrates  molecular beam epitaxy  phosphides  semiconducting indium phosphide  UNDOPED SEMIINSULATING INP  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHOSPHIDE VAPOR  FE  INTERFACE  PHOTOLUMINESCENCE  WAFER  UNIFORMITY  DIFFUSION  PRESSURE   Undoped semi-insulating indium phosphide (InP) and its applications 期刊论文 chinese science bulletin, 2003, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: 313-314 Dong HW; Zhao YW; Jiao JH; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 SEMIINSULATING INP  WAFER  FE  PHOTOLUMINESCENCE  UNIFORMITY  VAPOR   Deep levels in semi-insulating inp obtained by annealing under iron phosphide ambiance 期刊论文 Journal of applied physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 4, 页码: 1968-1970 作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Zhang, YH;  Jiao, JH;  Zhao, JQ 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence assessment of undoped semi-insulating inp wafers obtained by annealing in iron phosphide vapour 期刊论文 Semiconductor science and technology, 2002, 卷号: 17, 期号: 6, 页码: 570-574 作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Lu, HP;  Jiao, JH;  Zhao, JQ 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating inp wafers 期刊论文 Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2002, 卷号: 91, 页码: 521-524 作者:  Zhao, YW;  Sun, NF;  Dong, HW;  Jiao, JH;  Zhao, JQ 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Indium phosphide  Semi-insulating  Annealing  Picts  Photoluminescence   Creation and suppression of point defects through a kick-out substitution process of fe in inp 期刊论文 Applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 16, 页码: 2878-2879 作者:  Zhao, YW;  Dong, HW;  Chen, YH;  Zhang, YH;  Jiao, JH 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Fe-diffusion-induced defects in inp annealed in iron phosphide ambient 期刊论文 Japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2002, 卷号: 41, 期号: 4a, 页码: 1929-1931 作者:  Zhao, YW;  Dong, HW;  Jiao, JH;  Zhao, JQ;  Lin, LY 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Indium phosphide  Annealing  Semi-insulating  Defect  Diffusion