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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of radio frequency power on the inductively coupled plasma etched Al0.65Ga0.35N surface 外文期刊 2010 作者:  Liu, XY;  Bai, Y;  Liu, J;  Ma, P;  Li, B 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/26 N-type Gan  Electronic-properties  Oxide  Damage  Ingan  Algan   Enhanced charge storage characteristics of silicon nanocrystals fabricated by electron-beam coevaporation of Si and SiOx(x=1 or 2) 外文期刊 2009 作者:  Li, WL;  Jia, R;  Chen, C;  Wu, NJ;  Tamotsu, H 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/26 Microcrystalline Silicon  Raman-spectra  Memory  Films   Deposition of SiOx films with a capacitively-coupled plasma at atmospheric pressure 外文期刊 2007 作者:  Xu, XY;  Li, L;  Wang, SG;  Zhao, LL;  Ye, TC 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26 Chemical-vapor-deposition  Silicon Dioxide Films  Discharge  Jet   Structure optimization of field-plate AlGaN/GaN HEMTs 外文期刊 2007 作者:  Luo, WJ;  Wei, K;  Chen, XJ;  Li, CZ;  Liu, XY 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Nanoscale strain analysis of strained-Si metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction 外文期刊 2006 作者:  Liu, HH;  Duan, XF;  Qi, XY;  Xu, QX;  Li, HO 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/26 Mobility Enhancement  Layer Superlattices  Elastic Relaxation  Specimens   Growth and characterization of 0.8-mu m gate length AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrates 外文期刊 2005 作者:  Wang, XL;  Wang, CM;  Hu, GX;  Wang, JX;  Ran, JX 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26 Field-effect Transistors  Surface Passivation   Orientational self-assembled field-effect transistors based on a single-walled carbon nanotube 外文期刊 2005 作者:  Li, XL;  Liu, YQ;  Shi, DC;  Sun, YM;  Yu, G 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 Circuits