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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Increasing the photoluminescence intensity of Ge islands by chemical etching 期刊论文 chinese physics, 2001, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 966-969 Gao F; Huang CJ; Huang DD; Li JP; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：108/9  |  提交时间：2010/08/12 Ge islands  chemical etching  photoluminescence  Si2H6-Ge molecular beam epitaxy  QUANTUM DOTS   Enhanced hydrogen desorption from Si sites during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 9, 页码: 6920-6922 Liu JP; Huang DD; Li JP; Lin YX; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 GAS-SOURCE MBE  KINETICS  ADSORPTION  SILICON  SI(100)  MECHANISM  SI2H6  PHASE  FILMS   Photoluminescence properties of SiGe/Si single wells with fluctuating structural parameters 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 1998, 卷号: 31, 期号: 23, 页码: l85-l87 Liu JP; Kong MY; Si JJ; Huang DD; Li JP; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 DISORDERED SUPERLATTICES  LAYERS