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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Evaluations of scaling properties for Ge on insulator MOSFETs in nano-scale 其他 2005-01-01 Du, G; Liu, XY; Xia, ZL; Wang, YK; Hou, DQ; Kang, JF; Han, RQ 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 germanium MOSFET  nano-scale  scaling properties  Monte Carlo  MONTE-CARLO-SIMULATION  SEMICONDUCTORS  TRANSPORT   Universality of electron mobility in Ge MOSFETs investigated by Monte Carlo simulation 其他 2004-01-01 Xia, ZL; Du, G; Liu, XY; Kang, JF; Han, RQ 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 INVERSION LAYER MOBILITY  TRANSPORT   Scaling properties of GOI MOSFETs in naon scale by full band Monte Carlo simulation 其他 2004-01-01 Liu, XY; Du, G; Xia, ZL; Kang, JF; Wang, Y; Han, RQ; Yu, HY; Li, MF; Kwong, DL 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/13 Monte Carlo  GOI  scaling  quantum effect  TRANSPORT  SEMICONDUCTORS  DEVICES   Monte Carlo simulation of hole non-stationary transports in UTB SOI rpMOSFET 其他 2004-01-01 Du, G; Liu, XY; Xia, ZL; Han, RQ 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 IMPACT-IONIZATION MODEL  ELECTRON-TRANSPORT   Computational investigation of velocity overshoot effects in double gate MOSFETs 其他 2004-01-01 Hou, DQ; Xia, ZL; Du, G; Liu, XY; Wang, Y; Kang, JF; Han, RQ 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13 SILICON INVERSION-LAYERS  TRANSISTORS  SIMULATION   Novel Schottky barrier MOSFET with dual-layer silicide source/drain structure 其他 2004-01-01 Li, DY; Sun, L; Xia, ZL; Zhang, SD; Liu, XY; Kang, JF; Han, RQ 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 TRANSISTORS   Characteristics of different structure sub-100nm MOSFETs with high-k gate dielectrics 其他 2001-01-01 Liu, XY; Lou, SZ; Xia, ZL; Guo, DC; Zhu, HW; Kang, JF; Han, RQ 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/13