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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2019     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 702-709 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Xu, LW (Xu, Liewei)[ 2 ];  Ning, BX (Ning, Bingxu)[ 3 ];  Zhao, K (Zhao, Kai)[ 3 ] 收藏  |  浏览/下载：98/0  |  提交时间：2019/05/14 Back-gate biasing  forward body bias (FBB)  total ionizing dose (TID)  ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon-on-insulator (UTBB FD-SOI)   Active power filter integrated with distribution transformer based on magnetic potential balance. 期刊论文 IET Generation, Transmission & Distribution, 2019, 卷号: Vol.13 No.2, 页码: 238-247 作者:  Cui, GP;  Luo, LF;  Li, Y;  Liang, CG;  Zhang, XF 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/13 InSe Nanosheets for Efficient NIR-II-Responsive Drug Release 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: Vol.11 No.31, 页码: 27521-27528 作者:  Huang, C;  Sun, ZB;  Cui, HD;  Pan, T;  Geng, SY 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/17 InSe  two-dimensional nanomaterials  NIR-II  drug release  cancer treatment   Direct imaging revealing halved ferromagnetism in tensile-strained LaCoO3 thin films 期刊论文 PHYSICAL REVIEW MATERIALS, 2019, 卷号: Vol.3 No.7 作者:  Feng, QY;  Meng, DC;  Zhou, HB;  Liang, GH;  Cui, ZZ 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/17 Database Resources of the BIG Data Center in 2019 期刊论文 NUCLEIC ACIDS RESEARCH, 2019, 卷号: 47, 期号: D1, 页码: D8-D14 作者:  Zhang, Z;  Zhao, WM;  Xiao, JF;  Bao, YM;  Wang, F 收藏  |  浏览/下载：113/0  |  提交时间：2019/11/04 Single-atom cobalt array bound to distorted 1T MoS2 with ensemble effect for hydrogen evolution catalysis 期刊论文 NATURE COMMUNICATIONS, 2019, 卷号: 10, 页码: - 作者:  Qi, K;  Cui, XQ;  Gu, L;  Yu, SS;  Fan, XF 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2020/10/16 ACTIVE EDGE SITES  THIN-FILMS  NANOSHEETS  TRANSITION  ELECTROCATALYSTS  IDENTIFICATION  NANOPARTICLES  PERFORMANCE  SURFACE  DESIGN   A study on effects of total ionizing dose on hot carrier effect of PD I/O SOI PMOSFETs 期刊论文 RESULTS IN PHYSICS, 2019, 卷号: 13, 期号: 6, 页码: 1-5 作者:  Zhao, JH (Zhao, Jinghao)[ 1,2,3 ];  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1,2 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1,2 ];  Zhou, H (Zhou, Hang)[ 1,2,3 ];  Liang, XW (Liang, Xiaowen)[ 1,2,3 ] 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/03/20 Hot carrier effect  PMOS  Total ionizing dose effect