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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Abnormal Recovery Phenomenon Induced by Hole Injection During Hot Carrier Degradation in SOI n-MOSFETs 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017 Lu, Ying-Hsin; Chang, Ting-Chang; Chen, Li-Hui; Lin, Yu-Shan; Liu, Xi-Wen; Liao, Jih-Chien; Lin, Chien-Yu; Lien, Chen-Hsin; Chang, Kuan-Chang; Zhang, Sheng-Dong 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 Hole injection  hot carrier  impact ionization  abnormal recovery  P-MOSFETS   Design, simulation and experimental validation of a novel flexible neural probe for deep brain stimulation and multichannel recording 期刊论文 journal of neural engineering, 2012 Lai, Hsin-Yi; Liao, Lun-De; Lin, Chin-Teng; Hsu, Jui-Hsiang; He, Xin; Chen, You-Yin; Chang, Jyh-Yeong; Chen, Hui-Fen; Tsang, Siny; Shih, Yen-Yu I. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/16 SILICON MICROELECTRODE ARRAYS  ELECTRICAL-STIMULATION  PARKINSONS-DISEASE  FIBER STIMULATION  UNIT RECORDINGS  SCIATIC-NERVE  TISSUE  ELECTRODE  ACTIVATION  IMPEDANCE