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| Investigation of Isoelectronic Doping in p-GaN Based on The Thermal Quenching of UVL Band 期刊论文
ieee photonics journal, 2016, 卷号: 8, 期号: 5, 页码: 8200107
Yang Huang; Zhiqiang Liu; Xiaoyan Yi; Yao Guo; Guodong Yuan; JunXi Wang; Guohong Wang; Jinmin Li
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| Analysis of Photoluminescence Thermal Quenching: Guidance for the Design of Highly Effective p-type Doping of Nitrides 期刊论文
scientific reports, 2016, 卷号: 6, 页码: 32033
Zhiqiang Liu; Yang Huang; Xiaoyan Yi; Binglei Fu; Guodong Yuan; Junxi Wang; Jinmin Li; Yong Zhang
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2017/03/16 |
| Carrier leakage effect on efficiency droop in InGaN/GaN light-emitting diodes 期刊论文
modern physics letters b, 2016, 卷号: 20, 页码: 1650221
Yang Huang; Zhiqiang Liu; Xiaoyan Yi; Yao Guo; Shaoteng Wu; Guodong Yuan; Junxi Wang; Guohong Wang; Jinmin Li
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| Overshoot effects of electron on efficiency droop in InGaN/GaN MQW light-emitting diodes 期刊论文
aip advances, 2016, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 045219
Yang Huang; Zhiqiang Liu; Xiaoyan Yi; Yao Guo; Shaoteng Wu; Guodong Yuan; JunXi Wang; Guohong Wang; Jinmin Li
收藏 | 浏览/下载：26/0 | 提交时间：2017/03/16 |
| Enhancing the performance of blue GaN-based light emitting diodes with carrier concentration adjusting layer 期刊论文
aip advances, 2016, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 035312
Yao Guo; Zhiqiang Liu; Yang Huang; Xiaoyan Yi; Junxi Wang; Guohong Wang; Jinmin Li
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2017/03/16 |
| 垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术 期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 206-209
作者: 伊晓燕 ; 刘志强
收藏 | 浏览/下载：27/0 | 提交时间：2011/08/16 |
| 蓝宝石图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
段瑞飞; 季安; 伊晓燕; 王莉; 樊中朝; 郭金霞; 潘岭峰; 黄亚军; 赵冀; 李镇
收藏 | 浏览/下载：25/0 | 提交时间：2014/11/17 |
| 氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
郭金霞; 王良臣; 梁萌; 王莉; 黄亚军; 伊晓燕; 刘志强
收藏 | 浏览/下载：31/0 | 提交时间：2016/09/28 |
| GaN基发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
黄亚军; 王莉; 樊中朝; 刘志强; 伊晓燕
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