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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2015     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-Mobility In0.23Ga0.77As Channel MOSFETs Grown on Ge/Si Virtual Substrate by MOCVD 期刊论文 ieee transactions on electron devices, 2015, 卷号: 62, 期号: 5, 页码: 1456-1459 Xiangting Kong; Xuliang Zhou; Shiyan Li; Hudong Chang; Honggang Liu; Jing Wang; Renrong Liang; Wei Wang; Jiaoqing Pan 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2016/03/23 High-Performance In0.23Ga0.77As Channel MOSFETs with High Current Ratio on/ off Grown on Semi-insulating GaAs Substrates by MOCVD 期刊论文 chinese physics letters, 2015, 卷号: 32, 期号: 3, 页码: 37301-37303 XiangTing Kong; XuLiang Zhou; ShiYan Li; LiJun Qiao; HongGang Liu; Wei Wang; JiaoQing Pan 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/03/23 Evaluation of growth mode and optimization of growth parameters for GaAs epitaxy in V-shaped 期刊论文 journal of crystal growth, 2015, 卷号: 426, 页码: 147-152 Shiyan Li; Xuliang Zhou; Xiangting Kong; Mengke Li; Junping Mi; Jing Bian; Wei Wang; Jiaoqing Pan 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/03/23 Selective Area Growth of GaAs in V-Grooved Trenches on Si(001) Substrates by Aspect-Ratio 期刊论文 chinese physics letters, 2015, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 028101 Li ShiYan; Zhou XuLiang; Kong XiangTing; Li MengKe; Mi JunPing; Bian Jing; Wang Wei; Pan JiaoQing 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2016/03/23