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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Impact of dual field plates on drain current degradation in InAlN/AlN/GaN HEMTs 期刊论文 semiconductor science and technology, 2016, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 125003 Wei Li; Quan Wang; Xiangmi Zhan; Junda Yan; Lijuan Jiang; Haibo Yin; Jiamin Gong; Xiaoliang Wang; Fengqi Liu; Baiquan Li; Zhanguo Wang 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/10 Effects of a GaN cap layer on the reliability of AlGaN/GaN Schottky diodes 期刊论文 phys. status solidi a, 2015, 卷号: 212, 期号: 5, 页码: 1158-1161 He Kang; Quan Wang; Hongling Xiao; Cuimei Wang; Lijuan Jiang; Chun Feng; Hong Chen; Haibo Yin; Shenqi Qu; Enchao Peng; Jiamin Gong; Xiaoliang Wang; Baiquan Li; Zhanguo Wang; Xun Hou 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2016/03/29 A Novel Multi-Finger Gate Structure of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor 期刊论文 chin. phys. lett., 2015, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 58501-58504 Lei Cui; Quan Wang; XiaoLiang Wang; HongLing Xiao; CuiMei Wang; LiJuan Jiang; Chun Feng; HaiBo Yin; JiaMin Gong; BaiQuan Li; ZhanGuo Wang 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2016/03/29 High quality GaN-based LED epitaxial layers grown in a homemade MOCVD system 期刊论文 journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 3, 页码: 33002 Yin, Haibo; Wang, Xiaoliang; Ran, Junxue; Hu, Guoxin; Zhang, Lu; Xiao, Hongling; Li, Jing; Li, Jinmin 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/06/14 Epitaxial growth  Gallium nitride   Operational Optimization of GaN Thin Film Growth Employing Numerical Simulation in a Showerhead MOCVD Reactor 会议论文 9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008 Yin, HB; Wang, XL; Hu, GX; Ran, JX; Xiao, HL; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/03/09 一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29 王晓亮; 李巍; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 王翠梅; 李百泉 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/09/29 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2016/09/28 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/09/28 一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 王晓亮; 李巍; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 王翠梅; 李百泉 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2016/09/28 一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 王晓亮; 闫俊达; 李百泉; 王权; 肖红领; 冯春; 殷海波; 姜丽娟; 邱爱芹; 介芳 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2016/09/12