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纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性 期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 7, 页码: 076104-1-076104-4
作者: 谭小动; 朱建军; 赵德刚; 张书明

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器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响 期刊论文
物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8903-8909
作者: 江德生; 朱建军; 张书明; 邓懿; 吴亮亮

收藏 | 浏览/下载：29/0 | 提交时间：2011/08/16

高阻氮化镓外延层的异常光吸收 期刊论文
物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 8048-8051
作者: 赵德刚; 张书明; 朱建军; 江德生

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提高二极管激光阵列外腔锁相效率的实验研究 期刊论文
激光与红外, 2009, 卷号: 39, 期号: 8, 页码: 855-857
张雪; 赵鹏飞; 李强; 刘波; 马建军

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GaN基激光器的特性 期刊论文
红外与激光工程, 2009, 卷号: 38, 期号: 1, 页码: 41-44
作者: 张书明; 江德生; 赵德刚; 朱建军

收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2010/11/23

穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957
作者: 王玉田; 江德生; 赵德刚; 朱建军; 张书明

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蓝紫光InGaN多量子阱激光器 期刊论文
中国科学. E辑，技术科学, 2007, 卷号: 37, 期号: 3, 页码: 356-359
作者: 朱建军; 赵德刚; 张书明; 陈良惠

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高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 592-596
作者: 朱建军; 江德生; 赵德刚; 张书明

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GaN外延材料中持续光电导的光淬灭 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 304-308
作者: 赵德刚; 张书明; 朱建军

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