蓝紫光InGaN多量子阱激光器

	蓝紫光InGaN多量子阱激光器
	朱建军; 赵德刚; 张书明; 陈良惠
刊名	中国科学. E辑，技术科学
	2007
卷号	37 期号:3 页码:356-359
中文摘要	在（0001）蓝宝石衬底上外延生长了InGaN长周期多量子阱激光器结构．三轴晶X射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良．用该外延片制作了脊形波导GaN激光器，激光器的腔面为GaN的自然解理面，室温，电脉冲注入，激光器可实现激射．阈值电流密度为3．3kA／cm~2，特征温度为145K．
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	自彖高技术研究发展计划,长春理工大学大功率半导体激光器国家重点实验室项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16267]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	朱建军,赵德刚,张书明,等. 蓝紫光InGaN多量子阱激光器[J]. 中国科学. E辑，技术科学,2007,37(3):356-359.
APA	朱建军,赵德刚,张书明,&陈良惠.(2007).蓝紫光InGaN多量子阱激光器.中国科学. E辑，技术科学,37(3),356-359.
MLA	朱建军,et al."蓝紫光InGaN多量子阱激光器".中国科学. E辑，技术科学 37.3(2007):356-359.