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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ultra Low Dark Current, High Responsivity and Thin Multiplication Region in InGaAs/InP Avalanche Photodiodes 期刊论文 chinese physics letters, 2012, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 118503 Li B (Li Bin); Yang HW (Yang Huai-Wei); Gui Q (Gui Qiang); Yang XH (Yang Xiao-Hong); Wang J (Wang Jie); Wang XP (Wang Xiu-Ping); Liu SQ (Liu Shao-Qing); Han Q (Han Qin) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/03/27 Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors 期刊论文 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: art. no. 057802 Zhao DG (Zhao De-Gang); Zhang S (Zhang Shuang); Liu WB (Liu Wen-Bao); Hao XP (Hao Xiao-Peng); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Wang H (Wang Hui); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Yang H (Yang Hui); Wei L (Wei Long) 收藏  |  浏览/下载：73/2  |  提交时间：2010/05/24 Ga vacancies  MOCVD  GaN  Schottky barrier photodetector  REVERSE-BIAS LEAKAGE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  P-N-JUNCTIONS  POSITRON-ANNIHILATION  DIODES  FILMS   Evolution of structural defects in SiOx films fabricated by electron cyclotron resonance plasma chemical vapour deposition upon annealing treatment 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1034-1037 Hao, XP; Wang, BY; Yu, RS; Wei, L; Wang, H; Zhao, DG; Hao, WC 收藏  |  浏览/下载：70/2  |  提交时间：2010/03/08 SILICON-OXIDE FILMS  POSITRON-ANNIHILATION  POROUS SILICON  THIN-FILMS  PHOTOLUMINESCENCE  LAYERS  BEAM   Effect of lightly Si doping on the minority carrier diffusion length in n-type GaN films 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 25, 页码: art.no.252101 Zhao DG (Zhao D. G.); Jiang DS (Jiang D. S.); Yang H (Yang Hui); Zhu JJ (Zhu J. J.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Liang JW (Liang J. W.); Hao XP (Hao X. P.); Wei L (Wei L.); Li X (Li X.); Li XY (Li X. Y.); Gong HM (Gong H. M.) 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/04/11 YELLOW LUMINESCENCE  ELECTRON-BEAM  VACANCIES   Metalorganic chemical vapor deposition of ganas alloys using different ga precursors 期刊论文 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 4, 页码: 516-522 作者:  Wei, X;  Wang, GH;  Zhang, GZ;  Zhu, XP;  Ma, XY 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 High resolution x-ray diffraction  Precursor  Metalorganic chemical vapor depositions  Gallium compounds   Metalorganic chemical vapor deposition of GaNAs alloys using different Ga precursors 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 4, 页码: 516-522 Wei X; Wang GH; Zhang GZ; Zhu XP; Ma XY; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：81/2  |  提交时间：2010/08/12 high resolution X-ray diffraction  precursor  metalorganic chemical vapor depositions  gallium compounds  LASER-DIODES  SOLAR-CELLS  BAND-GAP  GAINNAS  DIMETHYLHYDRAZINE  GROWTH  PYROLYSIS  EPITAXY