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Measurement of Upsilon production in pp collisions at root s = 13TeV (vol 134, 1804.09214, 2018) 其他
2019-01-01
作者:  Aaij, R.;  Adeva, B.;  Adinolfi, M.;  Ajaltouni, Z.;  Akar, S.
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Measurement of the CKM angle using B-+/- DK +/- with D -> KS0(+-),(KsK+K-)-K-0 decays (vol 08, 176, 2018) 其他
2018-01-01
作者:  Aaij, R.;  Adeva, B.;  Adinolfi, M.;  Aidala, C. A.;  Ajaltouni, Z.
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Measurement of CP observables in B-+/- -> DK*(+/-) decays using two- and four-body D final states (vol 11, 156, 2017) 其他
2018-01-01
作者:  Aaij, R.;  Collaboration, LHCb;  Adeva, B.;  Adinolfi, M.;  Ajaltouni, Z.
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/05
Measurement of CP observables in B-+/- -> DK*(+/-) decays using two- and four-body D final states (vol 11, 156, 2017) 其他
2018-01-01
作者:  Aaij, R.;  Collaboration, LHCb;  Adeva, B.;  Adinolfi, M.;  Ajaltouni, Z.
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/05
Measurement of the CKM angle using B-+/- DK +/- with D -> KS0(+-),(KsK+K-)-K-0 decays (vol 08, 176, 2018) 其他
2018-01-01
作者:  Aaij, R.;  Adeva, B.;  Adinolfi, M.;  Aidala, C. A.;  Ajaltouni, Z.
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/05
Measurement of the J/psi pair production cross-section in pp collisions at root s = 13 TeV (vol 6, 47, 2017) 其他
2017-01-01
作者:  Aaij, R.;  Adeva, B.;  Adinolfi, M.;  Ajaltouni, Z.;  Akar, S.
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Measurement of the J/psi pair production cross-section in pp collisions at root s = 13 TeV (vol 6, 47, 2017) 其他
2017-01-01
作者:  Aaij, R.;  Adeva, B.;  Adinolfi, M.;  Ajaltouni, Z.;  Akar, S.
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/05
Measurement of the J/psi pair production cross-section in pp collisions at root s = 13 TeV (vol 6, 47, 2017) 其他
2017-01-01
作者:  Aaij, R.;  Adeva, B.;  Adinolfi, M.;  Ajaltouni, Z.;  Akar, S.
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/05
HIGH SENSITIVITY AND LARGE MEASUREMENT RANGE REFRACTOMETRIC SENSING BASED ON MACH-ZEHNDER INTERFEROMETER 其他
2016-01-01
Zhang, G.; Cai, H.; Gu, Y. D.; Song, J. F.; Dong, B.; Yang, Z. C.; Jin, Y. F.; Hao, Y. L.; Sivalingam, S. P.; Yap, P. H.; Kwong, D. L.; Liu, A. Q.
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Understanding charge traps for optimizing Si-passivated Ge nMOSFETs 其他
2016-01-01
Ren, P.; Gao, R.; Ji, Z.; Arimura, H.; Zhang, J. F.; Wang, R.; Duan, M.; Zhang, W.; Franco, J.; Sioncke, S.; Cott, D.; Mitard, J.; Witters, L.; Mertens, H.; Kaczer, B.; Mocuta, A.; Collaert, N.; Linten, D.; Huang, R.; Thean, A. V.Y.; Groeseneken, G.
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