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	Understanding charge traps for optimizing Si-passivated Ge nMOSFETs
	Ren, P. ; Gao, R. ; Ji, Z. ; Arimura, H. ; Zhang, J. F. ; Wang, R. ; Duan, M. ; Zhang, W. ; Franco, J. ; Sioncke, S. ; Cott, D. ; Mitard, J. ; Witters, L. ; Mertens, H. ; Kaczer, B. ; Mocuta, A. ; Collaert, N. ; Linten, D. ; Huang, R. ; Thean, A. V.Y. ; Groeseneken, G.
	2016
英文摘要	CPCI-S(ISTP); z.ji@ljmu.ac.uk
语种	英语
出处	36th IEEE Symposium on VLSI Technology
内容类型	其他
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/459900]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	Ren, P.,Gao, R.,Ji, Z.,et al. Understanding charge traps for optimizing Si-passivated Ge nMOSFETs. 2016-01-01.

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