×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
北京航空航天大学 [14]
西安光学精密机械研究... [7]
力学研究所 [2]
湖南大学 [2]
西安交通大学 [1]
计算技术研究所 [1]
更多...
内容类型
期刊论文 [18]
专利 [7]
会议论文 [5]
发表日期
2019 [30]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共30条,第1-10条
帮助
限定条件
发表日期:2019
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Substrate emitting vertical-cavity surface-emitting laser
专利
专利号: US10461507, 申请日期: 2019-10-29, 公开日期: 2019-10-29
作者:
SIRBU, ALEXEI
;
IAKOVLEV, VLADIMIR
;
BERK, YURI
;
MENTOVICH, ELAD
收藏
  |  
浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2019/12/23
Vertical cavity surface emitting laser device with integrated tunnel junction
专利
专利号: EP3540879A1, 申请日期: 2019-09-18, 公开日期: 2019-09-18
作者:
WEICHMANN, ULRICH
;
SCHEMMANN, MARCEL FRANZ CHRISTIAN
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2019/12/30
Heavy ion irradiation induced hard error in MTJ of the MRAM memory array
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 100, 页码: 7
作者:
Zhao, P. X.
;
Liu, T. Q.
;
Cai, C.
;
Li, D. Q.
;
Ji, Q. G.
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2022/01/19
MTJ damage
Heavy ion
Displacement damage
Hard bit error
Annealing effect
Vertical-cavity surface-emitting laser with high modulation speed
专利
专利号: US10396527, 申请日期: 2019-08-27, 公开日期: 2019-08-27
作者:
SIRBU, ALEXEI
;
IAKOVLEV, VLADIMIR
;
BERK, YURI
;
KALIFA, ITSHAK
;
MENTOVICH, ELAD
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2019/12/24
Epitaxial planarization of tunnel junction and alike vcsel array and method therefor
专利
专利号: US20190252858A1, 申请日期: 2019-08-15, 公开日期: 2019-08-15
作者:
RIAZIAT, MAJID
;
PAO, YI-CHING
;
WU, TA-CHUNG
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2019/12/30
An Adaptive Thermal-Aware ECC Scheme for Reliable STT-MRAM LLC Design
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2019, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 1851-1860
作者:
Wu, Bi
;
Zhang, Beibei
;
Cheng, Yuanqing
;
Wang, Ying
;
Liu, Dijun
收藏
  |  
浏览/下载:69/0
  |  
提交时间:2019/12/10
Error correction code (ECC)
last level cache (LLC)
reliability
spin-transfer-torque magnetoresistive random-access memory (STT-MRAM)
temperature
Characterization of tunnel oxide passivated contact with n-type poly-Si on p-type c-Si wafer substrate
期刊论文
CURRENT APPLIED PHYSICS, 2019, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 811-816
作者:
Guo, Xueqi
;
Zeng, Yuheng
;
Zhang, Zhi
;
Huang, Yuqing
;
Liao, Mingdun
收藏
  |  
浏览/下载:102/0
  |  
提交时间:2019/06/25
Solar cell
C-V measurement
Built-in potential
poly-Si
TOPCon
p-n junction
Influence of test model material on the accuracy of transient heat transfer measurements in impulse facilities
期刊论文
EXPERIMENTAL THERMAL AND FLUID SCIENCE, 2019, 卷号: 104, 页码: 59-66
作者:
Wang Q(汪球)
;
Olivier H
;
Einhoff J
;
Li JP(李进平)
;
Zhao W(赵伟)
收藏
  |  
浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2019/05/29
Heat transfer measurement
Lateral heat conduction
Shock tunnel
Thermocouple
Hypersonic
Iii-nitride tunnel junction light emitting diode with wall plug efficiency of over seventy percent
专利
专利号: US20190165213A1, 申请日期: 2019-05-30, 公开日期: 2019-05-30
作者:
YONKEE, BENJAMIN P.
;
YOUNG, ERIN C.
;
SPECK, JAMES S.
;
DENBAARS, STEVEN P.
;
NAKAMURA, SHUJI
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2019/12/31
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace