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科研机构
半导体研究所 [7]
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会议论文 [2]
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2005 [1]
2000 [1]
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学科主题
光电子学 [7]
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学科主题:光电子学
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Structure, Stress State and Piezoelectric Property of GaN Nanopyramid Arrays
期刊论文
applied physics express, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: article no.45001
Liu JQ
;
Wang JF
;
Gong XJ
;
Huang J
;
Xu K
;
Zhou TF
;
Zhong HJ
;
Qiu YX
;
Cai DM
;
Ren GQ
;
Yang H
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浏览/下载:71/3
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提交时间:2011/07/05
OUTPUT VOLTAGE
NANOWIRES
NANOGENERATORS
GROWTH
Impact of thickness of GaN buffer layer on properties of AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 2, 页码: 313-316
Wu CM (Wu ChaoMin)
;
Shang JZ (Shang JingZhi)
;
Zhang BP (Zhang BaoPing)
;
Zhang JY (Zhang JiangYong)
;
Yu JZ (Yu JinZhong)
;
Wang QM (Wang QiMing)
收藏
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浏览/下载:72/2
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提交时间:2010/05/04
MOCVD
DBR
high-reflectivity
nitride
SURFACE-EMITTING LASER
Characterization of AlGaN on GaN template grown by MOCVD - art. no. 68410K
会议论文
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Yan, JC
;
Wang, JX
;
Liu, NX
;
Liu, Z
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/03/09
AlGaN
GaN template
A1N interlayer
MOCVD
crack
interference fringes
Influence of cracks generation on the structural and optical properties of GaN/Al0.55Ga0.45N multiple quantum wells
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 8, 页码: 3043-3050
作者:
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:83/0
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提交时间:2010/04/11
nitrides
multiple quantum wells
cracks
dislocations
vacancies x-ray diffraction
X-RAY-DIFFRACTION
EDGE DISLOCATIONS
GAN
FILMS
SUPERLATTICES
RELAXATION
STRAIN
Investigation of a chemically treated InP(100) surface during hydrophilic wafer bonding process
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2006, 卷号: 128, 期号: 1-3, 页码: 93-97
作者:
Yu LJ
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浏览/下载:66/0
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提交时间:2010/04/11
surface micro-roughness
contact angle
root-mean-square roughness
SILICON-WAFERS
ROUGHNESS
INP
Low-temperature growth of InN by MOCVD and its characterization
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 276, 期号: 1-2, 页码: 13-18
Huang Y
;
Wang H
;
Sun Q
;
Chen J
;
Li DY
;
Wang, YT
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/03/17
growth rate
Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic GaN grown on GaAs(100) by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/11/15
cubic GaN
buffer layer
atomic force microscopy
reflection high-energy electron diffraction
MOVPE
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