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Measurement of wurtzite ZnO/rutile TiO2 heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 103, 期号: 4, 页码: 1099-1103
作者:  Wei HY
收藏  |  浏览/下载：59/8  |  提交时间：2011/07/05
Measurement of wurtzite ZnO/rutile TiO(2) heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 103, 期号: 4, 页码: 1099-1103
Wang, J; Liu, XL; Yang, AL; Zheng, GL; Yang, SY; Wei, HY; Zhu, QS; Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/02/06
Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720
Zhang YJ; Chang BK; Yang Z; Niu J; Xiong YJ; Shi F; Guo H; Zeng YP
收藏  |  浏览/下载：65/25  |  提交时间：2010/03/08
Gap states and microstructure of microcrystalline silicon thin films 期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 8, 页码: 5716-5720
Peng WB; Liu SY; Xiao HB; Zhang CS; Shi MJ; Zeng XB; Xu YY; Kong GL; Yu YD
收藏  |  浏览/下载：85/3  |  提交时间：2010/03/08
Growth-Parameter Spaces and Optical Properties of Cubic Boron Nitride Films on Si(001) 期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: art. no. 056801
作者:  You JB;  Zhang XW;  Fan YM;  Tan HR
收藏  |  浏览/下载：368/49  |  提交时间：2010/03/08
Nanoinstabilities as revealed by shrinkage of nanocavities in silicon during irradiation 期刊论文
international journal of nanotechnology, 2006, 卷号: 3, 期号: 4 sp.iss.si, 页码: 492-516
Zhu, XF (Zhu, Xianfang); Wang, ZG (Wang, Zhanguo)
收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/03/29
Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN 期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2003, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 620-626
作者:  Zhang SM
收藏  |  浏览/下载：252/65  |  提交时间：2010/08/12
Epitaxial growth and characterization of SiC on C-plane sapphire substrates by ammonia nitridation 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 1-8
Luo MC; Li JM; Wang QM; Sun GS; Wang L; Li GR; Zeng YP; Lin LY
收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12
Influence of high-temperature AIN buffer thickness on the properties of GaN grown on Si(111) 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 258, 期号: 1-2, 页码: 34-40
作者:  Zhao DG
收藏  |  浏览/下载：299/12  |  提交时间：2010/08/12
Method for measurement of lattice parameter of cubic GaN layers on GaAs (001) 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 345-348
Zheng XH; Wang YT; Feng ZH; Yang H; Chen H; Zhou JM; Liang JW
收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12

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