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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Characteristic of rapid thermal annealing on GaIn(N)(Sb)As/GaAs quantum well grown by molecular-beam epitaxy 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 3, 页码: art.no.034903 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：121/0  |  提交时间：2010/04/11 IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY  OPTICAL-PROPERTIES  LASERS  NITROGEN  ORIGIN   A Wavelength Tunable DBR Laser Integrated with an Electro Absorption Modulator by a Combined Method of SAG and QWI 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 11, 页码: 2053-2057 作者:  Zhang Jing;  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/23 The effect of inserting strain-compensated GaNAs layers on the luminescence properties of GaInNAs/GaAs quantum well 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 339-344 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum wells  GaInNAs  strain-compensated GaNAs layers  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHOTOLUMINESCENCE  LASERS  THRESHOLD   RECRYSTALLIZATION, IMPURITY MIGRATION AND OPTICAL ACTIVATION OF YB-IMPLANTED SILICON INDUCED BY RAPID THERMAL ANNEALING 期刊论文 physics letters a, 1994, 卷号: 189, 期号: 5, 页码: 423-427 XU TB; ZHU PR; LI DQ; REN TQ; SUN HL; WAN SK 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/15 LONGITUDINAL MODE-OPERATION  RUTHERFORD BACKSCATTERING  ERBIUM  ELECTROLUMINESCENCE  LASERS