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相变存储器芯片设计 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2012
富聪
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/04/24
纳米相变存储单元的数值模拟研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2012
龚岳峰
收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2013/04/24
自主新型SiSbTe相变材料与全功能PCRAM实验芯片 期刊论文
中国材料进展, 2012, 期号: 8, 页码: 39
宋志棠
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/02/22
Chemical Mechanical Polishing of Ge2Sb2Te5 Using Abrasive-Free Solutions of Iron Trichloride 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 38301
Yan, WX; Wang, LY; Zhang, ZF; He, AD; Zhong, M; Liu, WL; Wu, LC; Song, ZT
收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2013/04/17
Pseudobinary Al2Te3-Sb2Te3 material for high speed phase change memory application 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 100, 期号: 5, 页码: 52105
Ren, K; Rao, F; Song, ZT; Lv, SL; Cheng, Y; Wu, LC; Peng, C; Zhou, XL; Xia, MJ; Liu, B; Feng, SL
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/04/17
Superlattice-like electrode for low-power phase-change random access memory 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: 11, 页码: 113104
Lu, YG; Song, SN; Song, ZT; Wu, LC; He, AD; Gong, YF; Rao, F; Liu, B
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/04/17
Ti10Sb60Te30 for phase change memory with high-temperature data retention and rapid crystallization speed 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: 122101
Zhu, M; Wu, LC; Song, ZT; Rao, F; Cai, DL; Peng, C; Zhou, XL; Ren, K; Song, SN; Liu, B; Feng, SL
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/04/17
Carbon-doped Ge2Sb2Te5 phase change material: A candidate for high-density phase change memory application 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: 14, 页码: 142104
Zhou, XL; Wu, LC; Song, ZT; Rao, F; Zhu, M; Peng, C; Yao, DN; Song, SN; Liu, B; Feng, SL
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/04/17
The Influence of Sputtering Power on Phase-Change Films 期刊论文
ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2012, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: H205-H207
Zhang, L; Gu, LX; Han, XD; Huang, H; Dai, YA; Cheng, Y; Wang, Y; Zhang, Z; Wu, YQ; Liu, B; Song, ZT
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/04/17
Improved thermal and electrical properties of Al-doped Ge2Sb2Te5 films for phase-change random access memory 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 45, 期号: 37, 页码: 375302
Wang, GX; Shen, X; Nie, QH; Wang, RP; Wu, LC; Lv, YG; Chen, F; Fu, J; Dai, SX; Li, J
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/04/17

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