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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Magnetic properties and rectifying behaviour of silicon doped with gadolinium 期刊论文 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1469-1473 Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 magnetic semiconductor  magnetic p-n junction  ion beam epitaxy  gadolinium silicides  METAL-INSULATOR-TRANSITION  P-N-JUNCTION  INDUCED FERROMAGNETISM  SI/SIER INTERFACE  BEAM EPITAXY  SEMICONDUCTORS  EXCITATION  MAGNETORESISTANCE  ALLOYS   Structural study of YSi1.7 layers formed by channeled ion beam synthesis 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 1998, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 1901-1906 Wu MF; Yao SD; Vantomme A; Hogg S; Pattyn H; Langouche G; Yang QQ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/08/12 YTTRIUM-SILICIDE LAYERS  ERSI1.7 LAYERS  COSI2 LAYERS  THIN-FILMS  IMPLANTATION  SI  DIFFRACTION  STABILITY  KINETICS  SI(111)   INTERFACIAL REACTIONS IN THE CO/SI/GAAS AND SI/CO/GAAS SYSTEMS 期刊论文 journal of vacuum science & technology a-vacuum surfaces and films, 1992, 卷号: 10, 期号: 4, 页码: 1020-1028 HSU CC; JIN GL; HO J; CHEN WD 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 THIN-FILMS  GAAS  CO  SI   ELECTRONIC-STRUCTURE AND FORMATION OF MOSI2 SILICIDES 期刊论文 chinese physics, 1990, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 481-487 LI BQ; JI MR; WU JX; HSU CC; YIAN J 收藏  |  浏览/下载：157/38  |  提交时间：2010/11/15