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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2008 [1]
2003 [1]
2002 [1]
2000 [1]
1998 [1]
1997 [1]
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学科主题
半导体材料 [7]
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学科主题:半导体材料
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Polymerization of ionic liquid-based microemulsions: A versatile method for the synthesis of polymer electrolytes
期刊论文
macromolecules, 2008, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: 3389-3392
Yu, SM
;
Yan, F
;
Zhang, XW
;
You, JB
;
Wu, PY
;
Lu, JM
;
Xu, QF
;
Xia, XW
;
Ma, GL
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浏览/下载:65/1
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提交时间:2010/03/08
ROTATIONAL RELAXATION
BEHAVIOR
MICELLES
STYRENE
PHASE
COUMARIN-153
SURFACTANTS
SOLVATION
CATALYSIS
DYNAMICS
Effect of a low-temperature thin buffer layer on the strain accommodation of In0.25Ga0.75As grown on a GaAs(001) substrate
期刊论文
semiconductor science and technology, 2003, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 955-959
作者:
Xu B
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/08/12
RELAXATION
SI
HETEROSTRUCTURES
KINETICS
Thermodynamics and kinetics analysis of in-situ synthesizing AlN
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 249-254
Zheng XH
;
Wang Q
;
Zhou ML
;
Li CG
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/08/12
Al-Mg alloy
in-situ synthesis
AlN
Mg
thermo-dynamical
dynamics
THERMAL-CONDUCTIVITY
ALUMINUM NITRIDE
HETEROSTRUCTURE
Evolution from point defects to arsenic clusters in low-temperature grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 4, 页码: 355-359
Zhang MH
;
Han YJ
;
Zhang YH
;
Huang Q
;
Bao CL
;
Wang WX
;
Zhou JM
;
Lu LW
收藏
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浏览/下载:66/0
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提交时间:2010/08/12
LT-GaAs
LT MQWs
defect
photoluminescence
electroabsorption
SPATIAL LIGHT MODULATORS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
RECOMBINATION
DYNAMICS
Low-temperature growth properties of Si1-xGex by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 535-540
Liu JP
;
Kong MY
;
Li JP
;
Liu XF
;
Huang DD
;
Sun DZ
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/08/12
Si1-xGex alloys
low temperature epitaxy
desorption
adsorption
surface morphology
growth kinetics
HYDROGEN DESORPTION
SI(100)
SI
SURFACTANT
GERMANIUM
MECHANISM
KINETICS
ALLOYS
SI2H6
GAS-SOURCE MBE
Ge composition saturation behavior during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid Ge molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1997, 卷号: 181, 期号: 4, 页码: 441-445
Liu JP
;
Liu XF
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/17
Si1-xGex alloys
low-temperature epitaxy
composition dependence
growth kinetics
GAS-SOURCE MBE
SI2H6
SEGREGATION
DEPENDENCE
KINETICS
FILMS
INTERACTION OF CO WITH SI AND SIO2 DURING RAPID THERMAL ANNEALING
期刊论文
journal of applied physics, 1991, 卷号: 69, 期号: 11, 页码: 7612-7619
CHEN WD
;
CUI YD
;
HSU CC
;
TAO J
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/11/15
GROWTH
SILICIDES
KINETICS
CRYSTAL
SILICON
FILMS
COSI2
CO2SI
TI
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