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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311 作者:  Xu B;  Zhou GY;  Ye XL;  Zhang HY 收藏  |  浏览/下载：53/5  |  提交时间：2011/07/05 SELF-ORGANIZED ISLANDS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACES  EMISSION  DENSITY  SIZE   Theoretical analysis about the influence of channel layer thickness on the 2D electron gas and its distribution in InP-based high-electron-mobility transistors 期刊论文 acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 3677-3682 Li DL (Li Dong-Lin); Zeng YP (Zeng Yi-Ping) 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2010/04/11 HEMT  heterojunction  two dimentional electron gas  self-consistent calculation  FIELD-EFFECT TRANSISTOR  TRANSPORT-PROPERTIES  QUANTUM-WELLS  HEMTS  FREQUENCY  DENSITY   Controllable growth of semiconductor nanometer structures 期刊论文 microelectronics journal, 2003, 卷号: 34, 期号: 5-8, 页码: 379-382 Wang ZG; Wu J 收藏  |  浏览/下载：289/9  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  nanostructures  INAS QUANTUM DOTS  SELF-ORGANIZATION  MONOLAYER COVERAGE  DENSITY  GAAS  ISLANDS  INP(001)  EPITAXY   Controllable growth of semiconductor nanometer structures 会议论文 conference on low dimensional structures and devices (ldsd), fortaleza, brazil, dec 08-13, 2002 Wang ZG; Wu J 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/15 INAS QUANTUM DOTS  SELF-ORGANIZATION  MONOLAYER COVERAGE  DENSITY  GAAS  ISLANDS  INP(001)  EPITAXY   Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 low dimensional structures  molecular beam epitaxy  nanomaterials  INAS ISLANDS  GAAS  GROWTH  GAAS(100)  THICKNESS  DENSITY   Hydrogenated amorphous silicon films with significantly improved stability 期刊论文 solar energy materials and solar cells, 2001, 卷号: 68, 期号: 1, 页码: 123-133 Sheng SR; Liao XB; Ma ZX; Yue GZ; Wang YQ; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 amorphous silicon  stability  A-SI-H  CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY  URBACH EDGE  SOLAR-CELLS  GAP STATES  ABSORPTION  DENSITY  SPECTROSCOPY  INCREASE   Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1005-1009 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：125/19  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  molecular beam epitaxy  nanomaterials  INAS ISLANDS  GAAS  GROWTH  GAAS(100)  THICKNESS  DENSITY