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高能物理研究所 [4]
宁波材料技术与工程研... [3]
新疆理化技术研究所 [3]
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期刊论文 [11]
发表日期
2020 [3]
2015 [1]
2014 [1]
2011 [2]
2010 [1]
2009 [3]
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ZnO nanoflowers modified with RuO2 for enhancing acetone sensing performance
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2020, 卷号: 31, 期号: 11
作者:
Zhang, Shendan
;
Wang, Chenhao
;
Qu, Fengdong
;
Liu, Siqi
;
Lin, Cheng-Te
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2020/12/16
FACILE SYNTHESIS
TEMPLATED FORMATION
SELECTIVE DETECTION
HIGH-RESPONSE
GAS
NANOPARTICLES
NANOFIBERS
NANOSHEETS
NO2
MICROSPHERES
Single-crystal growth of n-type SnS0.95 by the temperature-gradient technique
期刊论文
VACUUM, 2020, 卷号: 182
作者:
Yin, Yinong
;
Cai, Jianfeng
;
Wang, Hongxiang
;
Xiao, Yukun
;
Hu, Haoyang
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2020/12/16
HIGH THERMOELECTRIC PERFORMANCE
SNS
SULFIDE
First-principles investigations on MXene-blue phosphorene and MXene-MoS(2)transistors
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2020, 卷号: 31, 期号: 39
作者:
Zhou, Yuhong
;
Zhuge, Xia
;
An, Peng
;
Du, Shiyu
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2020/12/16
FIELD-EFFECT TRANSISTOR
MONOLAYER WSE2
CONTACTS
Jackiw-Rebbi-type bound state carrying fractional fermion parity
期刊论文
JOURNAL OF STATISTICAL MECHANICS-THEORY AND EXPERIMENT, 2015, 期号: 0, 页码: P02013
作者:
Xiong, Y
;
Tong, PQ
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2016/11/21
fractional states (theory)
quantum wires (theory)
topology and combinatorics
Fullerene film on metal surface: Diffusion of metal atoms and interface model
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 104, 期号: 19, 页码: 191606
作者:
Li, WJ
;
Wang, P
;
Wang, XX
;
Wang, JO
;
Wu, R
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2016/04/08
Ni-Al-O diffusion barrier layer for high-kappa metal-oxide-semiconductor capacitor
期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2011, 卷号: 519, 期号: 10, 页码: 3358-3362
作者:
Wu D. Q.
;
Jia R.
;
Yao J. C.
;
Zhao H. S.
;
Chang A. M.
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2013/11/07
High-kappa gate dielectrics
Leakage current density
Er(2)O(3)
Ni-Al-O
Diffusion barrier layer
Theorical model of enhanced low dose rate sensitivity observed in p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 6
作者:
Gao Bo
;
Yu Xue-Feng
;
Ren Di-Yuan
;
Cui Jiang-Wei
;
Lan Bo
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2012/11/29
p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
Co-60 gamma-ray
total-dose irradiation damage effects
enhanced low dose rate sensitivity
Photoluminescence spectroscopy and positron annihilation spectroscopy probe of alloying and annealing effects in nonpolar m-plane ZnMgO thin films
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 96, 期号: 15, 页码: 151904
作者:
Yang, AL
;
Song, HP
;
Liang, DC
;
Wei, HY
;
Liu, XL
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2016/06/29
alloying
annealing
electrical conductivity
excitons
II-VI semiconductors
magnesium compounds
MOCVD coatings
photoluminescence
positron annihilation
semiconductor thin films
vacancies (crystal)
wide band gap semiconductors
zinc compounds
Determination of wurtzite InN/cubic In2O3 heterojunction band offset by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 22, 页码: 222114
作者:
Song, HP
;
Yang, AL
;
Wei, HY
;
Guo, Y
;
Zhang, B
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2016/06/29
conduction bands
III-V semiconductors
indium compounds
semiconductor heterojunctions
semiconductor materials
valence bands
X-ray photoelectron spectra
Positron annihilation in (Ga, Mn)N: A study of vacancy-type defects
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 15, 页码: 151907
作者:
Yang, XL
;
Zhu, WX
;
Wang, CD
;
Fang, H
;
Yu, TJ
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2016/06/29
doping profiles
Doppler broadening
ferromagnetic materials
gallium compounds
III-V semiconductors
magnetic thin films
manganese compounds
MOCVD
positron annihilation
semiconductor doping
semiconductor thin films
semimagnetic semiconductors
vacancies (crystal)
wide band gap semiconductors
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