×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [16]
内容类型
期刊论文 [16]
发表日期
2011 [4]
2010 [4]
2009 [1]
2008 [1]
2006 [4]
2005 [2]
更多...
学科主题
半导体材料 [4]
半导体物理 [3]
光电子学 [2]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共16条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Electronic band structure of a type-ii 'w' quantum well calculated by an eight-band k center dot p model
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 6
作者:
Yu Xiu
;
Gu Yong-Xian
;
Wang Qing
;
Wei Xin
;
Chen Liang-Hui
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Type-ii 'w' quantum well
Burt-foreman hamiltonian
Finite element methods
Spin splitting modulated by uniaxial stress in inas nanowires
期刊论文
Journal of physics-condensed matter, 2011, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 7
作者:
Liu, Genhua
;
Chen, Yonghai
;
Jia, Caihong
;
Hao, Guo-Dong
;
Wang, Zhanguo
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Spin splitting modulated by uniaxial stress in InAs nanowires
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2011, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: art. no. 015801
Liu GH (Liu Genhua)
;
Chen YH (Chen Yonghai)
;
Jia CH (Jia Caihong)
;
Hao GD (Hao Guo-Dong)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2010/12/28
NARROW-GAP SEMICONDUCTOR
INVERSION-ASYMMETRY
QUANTUM DOTS
BAND
STATES
Electronic band structure of a type-II 'W' quantum well calculated by an eight-band k center dot p model
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.30507
Yu X
;
Gu YX
;
Wang Q
;
Wei X
;
Chen LH
收藏
  |  
浏览/下载:65/4
  |  
提交时间:2011/07/06
type-II 'W' quantum well
Burt-Foreman Hamiltonian
finite element methods
LASERS
ALLOYS
Self-consistent analysis of alsb/inas high electron mobility transistor structures
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: 7
作者:
Li, Yanbo
;
Zhang, Yang
;
Zeng, Yiping
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Lineshape analysis of the beat signal between optical carrier and delayed sidebands
期刊论文
Ieee journal of quantum electronics, 2010, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 347-353
作者:
Zhu, Ning Hua
;
Man, Jiang Wei
;
Zhang, Hong Guang
;
Ke, Jian Hong
;
Han, Wei
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Coherence
Heterodyne technique
Intensity modulation
Optical spectrum
Lineshape
Linewidth
Lineshape Analysis of the Beat Signal Between Optical Carrier and Delayed Sidebands
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 2010, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 347-353
Zhu NH (Zhu Ning Hua)
;
Man JW (Man Jiang Wei)
;
Zhang HG (Zhang Hong Guang)
;
Ke JH (Ke Jian Hong)
;
Han W (Han Wei)
;
Chen W (Chen Wei)
;
Liu Y (Liu Yu)
;
Wang X (Wang Xin)
;
Yuan HQ (Yuan Hai Qing)
;
Xie L (Xie Liang)
收藏
  |  
浏览/下载:99/3
  |  
提交时间:2010/04/13
Coherence
heterodyne technique
intensity modulation
optical spectrum
lineshape
linewidth
SELF-HETERODYNE INTERFEROMETER
LASER LINEWIDTH MEASUREMENT
SURFACE-EMITTING LASER
SEMICONDUCTOR-LASER
MODULATION
DIODES
Self-consistent analysis of AlSb/InAs high electron mobility transistor structures
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044504
Li YB (Li Yanbo)
;
Zhang Y (Zhang Yang)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
收藏
  |  
浏览/下载:212/46
  |  
提交时间:2010/10/11
INAS/ALSB QUANTUM-WELLS
LOW-POWER APPLICATIONS
HEMTS
MODULATION
HETEROSTRUCTURES
TECHNOLOGY
CHANNEL
VOLTAGE
MASS
Determination of wurtzite InN/cubic In2O3 heterojunction band offset by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 22, 页码: art. no. 222114
作者:
Song HP
;
Wei HY
;
Zhang B
收藏
  |  
浏览/下载:198/0
  |  
提交时间:2010/03/08
conduction bands
III-V semiconductors
indium compounds
semiconductor heterojunctions
semiconductor materials
valence bands
X-ray photoelectron spectra
Anomalous Rashba spin-orbit interaction in InAs/GaSb quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 15, 页码: art. no. 152107
作者:
Li J
收藏
  |  
浏览/下载:67/3
  |  
提交时间:2010/03/08
BAND-STRUCTURE
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace