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| 一种在氮气氛下高碳多元醇催化裂解制备二元醇的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201310150291.8, 申请日期: 2015-07-22, 公开日期: 2015-07-22
作者: 徐杰; 张俊杰; 路芳; 陈佳志; 于维强
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| Method for removing reduction of nitrogen oxide storage, involves making nitrogen oxide storage catalyst by saturated plasma process in presence of catalyst, and storing in reducing atmosphere of nitrogen oxides to nitrogen gas. 专利
申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-05-01
作者: ZHU A ZHANG Z XU L SHI C
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| Nitride semiconductor laser element and method for manufacturing the same 专利
专利号: US7691653, 申请日期: 2010-04-06, 公开日期: 2010-04-06
作者: KAMIKAWA, TAKESHI; KAWAGUCHI, YOSHINOBU
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| Laser module and production process thereof 专利
专利号: US7110425, 申请日期: 2006-09-19, 公开日期: 2006-09-19
作者: YAMANAKA, FUSAO; OKAZAKI, YOJI; NAGANO, KAZUHIKO; KURAMACHI, TERUHIKO
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| Method for fabricating semiconductor device 专利
专利号: US6881261, 申请日期: 2005-04-19, 公开日期: 2005-04-19
作者: UEDA, TETSUZO
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| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1992084481A, 申请日期: 1992-03-17, 公开日期: 1992-03-17
作者: ENOMOTO AKIRA
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| Manufacture of optical semiconductor element 专利
专利号: JP1989231317A, 申请日期: 1989-09-14, 公开日期: 1989-09-14
作者: TANAKA HIDEAKI; AKIBA SHIGEYUKI; SUZUKI MASATOSHI; UKO KATSUYUKI
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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1989169984A, 申请日期: 1989-07-05, 公开日期: 1989-07-05
作者: MATSUOKA TAKASHI; SASAKI TORU; ANDOU TAKASHI
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| Semiconductor light emitting device 专利
专利号: JP1988233586A, 申请日期: 1988-09-29, 公开日期: 1988-09-29
作者: NOJIRI HIDEAKI; SEKIGUCHI YOSHINOBU; HASEGAWA MITSUTOSHI; MIYAZAWA SEIICHI; HARA TOSHITAMI
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| Manufacture of resonator of semiconductor laser 专利
专利号: JP1988182884A, 申请日期: 1988-07-28, 公开日期: 1988-07-28
作者: UCHIDA MAMORU
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