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Study on pulsed laser ablation and deposition of ZnO thin films by L-MBE 期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2007, 卷号: 50, 期号: 3, 页码: 290-301
作者:  He YongNing;  Zhang JingWen;  Yang XiaoDong;  Xu QingAn;  Zhu ChangChun
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Low temperature epitaxial growth of quaternary wide bandgap semiconductors 专利
专利号: US6911084, 申请日期: 2005-06-28, 公开日期: 2005-06-28
作者:  KOUVETAKIS, JOHN;  TSONG, IGNATIUS S. T.;  ROUCKA, RADEK;  TOLLE, JOHN
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Vertical-cavity laser and laser array incorporating guided-mode resonance effects and method for making the same 专利
专利号: US6154480, 申请日期: 2000-11-28, 公开日期: 2000-11-28
作者:  MAGNUSSON, ROBERT;  YOUNG, PRESTON P.;  SHIN, DONGHO
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Optical semiconductor element 专利
专利号: US6057561, 申请日期: 2000-05-02, 公开日期: 2000-05-02
作者:  KAWASAKI, MASASHI;  KOINUMA, HIDEOMI;  OHTOMO, AKIRA;  SEGAWA, YUSABURO;  YASUDA, TAKASHI
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量子井戸構造をもつ半導体装置 专利
专利号: JP2964161B2, 申请日期: 1999-08-13, 公开日期: 1999-10-18
作者:  杉山 芳弘;  北田 秀樹
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多波長半導体レーザダイオード 专利
专利号: JP2819160B2, 申请日期: 1998-08-28, 公开日期: 1998-10-30
作者:  宮澤 丈夫;  永沼 充
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2721274B2, 申请日期: 1997-11-21, 公开日期: 1998-03-04
作者:  関 章憲;  細羽 弘之;  幡 俊雄;  近藤 雅文;  須山 尚宏
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化合物半導体の成長方法及び半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2706369B2, 申请日期: 1997-10-09, 公开日期: 1998-01-28
作者:  関 章憲;  細羽 弘之;  幡 俊雄;  近藤 雅文;  須山 尚宏
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分子線エピタキシヤル装置 专利
专利号: JP2607239B2, 申请日期: 1997-02-13, 公开日期: 1997-05-07
作者:  早川 利郎;  須山 尚宏;  高橋 向星;  山本 三郎
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半導体レ-ザ素子の製造方法 专利
专利号: JP2544924B2, 申请日期: 1996-07-25, 公开日期: 1996-10-16
作者:  高橋 向星;  須山 尚宏;  近藤 雅文;  早川 利郎
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