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半导体研究所 [9]

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半导体化学 [9]

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	Desorption and Ripening of Low Density InAs Quantum Dots 期刊论文 journal of nanoscience and nanotechnology, 2009, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 844-847 作者: Zhan F 收藏 \| 浏览/下载：267/108 \| 提交时间：2010/03/08 Quantum Dots Desorption Molecular Beam Epitaxy
	Long-Wavelength Emission InAs Quantum Dots Grown on InGaAs Metamorphic Buffers 期刊论文 journal of nanoscience and nanotechnology, 2009, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 1333-1336 作者: Xu YQ 收藏 \| 浏览/下载：211/56 \| 提交时间：2010/03/08 InAs Quantum Dots Metamorphic Buffer Molecular Beam Epitaxy
	Growth temperature dependences of InN films grown by MOCVD 期刊论文 applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 3149-3152 part 2 Yang, CB; Wang, XL; Xiao, HL; Zhang, XB; Hua, GX; Ran, JX; Wang, CM; Li, JP; Li, JM; Wang, ZG 收藏 \| 浏览/下载：69/1 \| 提交时间：2010/03/08 InN MOCVD Mobility
	In0.25Ga0.75As films growth on the thin GaAs/AlAs buffer layer on the GaAs(001) substrate 期刊论文 applied surface science, 2003, 卷号: 217, 期号: 1-4, 页码: 268-274 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：41/0 \| 提交时间：2010/08/12 strain dislocation interfaces molecular beam epitaxy semiconductor III-V materials CRITICAL THICKNESS COMPLIANT SUBSTRATE RELAXATION
	Cathodoluminescence on GaN hexagonal pyramids on submicron dot-patterns via selective MOVPE 期刊论文 applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 149-151 Zhu QS; Matsushima H; Hiramatsu K; Sawaki N 收藏 \| 浏览/下载：45/0 \| 提交时间：2010/08/12 CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION AIN BUFFER LAYER GROWTH FACETS WIRES MOCVD
	Structural and optical characterization of InAs nanostructures grown on (001) and high index InP substrates 期刊论文 applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 191-196 作者: Xu B; Ye XL 收藏 \| 浏览/下载：57/0 \| 提交时间：2010/08/12 self-assembled quantum dots molecular beam epitaxy high index MOLECULAR-BEAM EPITAXY VAPOR-PHASE EPITAXY QUANTUM DOTS ISLANDS INP(001) INGAAS
	The growth of SiC on Si substrates with C2H4 and Si2H6 期刊论文 applied surface science, 1999, 卷号: 148, 期号: 3-4, 页码: 189-195 Wang YS; Li JM; Lin LY; Zhang FF 收藏 \| 浏览/下载：28/0 \| 提交时间：2010/08/12 Si SiC epitaxial growth RHEED Raman spectrum CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION HETEROEPITAXIAL GROWTH HYDROCARBON RADICALS SILICON SURFACES FILMS LAYER MOLECULAR-BEAM EPITAXY
	In composition dependence of lateral ordering in InGaAs quantum dots grown on (311)B GaAs substrates 期刊论文 applied surface science, 1999, 卷号: 141, 期号: 1-2, 页码: 101-106 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：60/0 \| 提交时间：2010/08/12 quantum dot array InxGa1-xAs self-assembly molecular beam epitaxy GaAs (311)B high-index surface structure CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION SELF-ORGANIZATION PHASE EPITAXY INAS SURFACES MICROSTRUCTURES GAAS(100) ALIGNMENT MOLECULAR-BEAM EPITAXY
	Solid-phase crystallization and dopant activation of amorphous silicon films by pulsed rapid thermal annealing 期刊论文 applied surface science, 1998, 卷号: 135, 期号: 1-4, 页码: 205-208 Wang YQ; Liao XB; Ma ZX; Yue GZ; Diao HW; He J; Kong GL; Zhao YW; Li ZM; Yun F 收藏 \| 浏览/下载：26/0 \| 提交时间：2010/08/12 amorphous silicon solid-phase crystallization rapid thermal annealing LPCVD POLYCRYSTALLINE SILICON LOW-TEMPERATURE CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION

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