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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 The influence of internal electric fields on the transition energy of InGaN/gaN quantum well 期刊论文 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 522-526 Guo LC (Guo Lunchun); Wang XL (Wang Xiaoliang); Xiao HL (Xiao Hongling); Wang BZ (Wang Baozhu) 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/03/29 computer simulation   Electronic structures of wurtzite ZnO and ZnO/MgZnO quantum well 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 287, 期号: 1, 页码: 28-33 Fan WJ; Abiyasa AP; Tan ST; Yu SF; Sun XW; Xia JB; Yeo YC; Li MF; Chong TC 收藏  |  浏览/下载：98/0  |  提交时间：2010/04/11 computer simulation  low dimensional structures  zinc compounds  semiconducting II-VI materials  OPTICAL GAIN SPECTRA  BAND-STRUCTURES  ROOM-TEMPERATURE  LASERS   Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 会议论文 iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/11/15 Czochralski method  growth from melt  semiconductor silicon  argon gas flow  computer simulation  oxygen content  FURNACE PRESSURE   A geometrical model of GaN morphology in initial growth stage 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 115-120 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：78/8  |  提交时间：2010/08/12 computer simulation  crystal morphology  atomic force microscopy  nitrides  AIN BUFFER LAYER  SAPPHIRE   Quasi-thermo dynamic analysis of MOVPE growth of GaxAlyIn1-x-yN 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 145-152 Lu DC; Duan SK 收藏  |  浏览/下载：99/7  |  提交时间：2010/08/12 computer simulation  molecular vapor phase epitaxy  nitrides  semiconducting quaternary alloys  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  QUATERNARY ALLOYS  PHASE EPITAXY  GAN  ALINGAN