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半导体研究所 [40]
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学科主题
半导体物理 [40]
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学科主题:半导体物理
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GaAs-based long-wavelength InAs quantum dots on multi-step-graded InGaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 33, 页码: 335102
He JF
;
Wang HL
;
Shang XJ
;
Li MF
;
Zhu Y
;
Wang LJ
;
Yu Y
;
Ni HQ
;
Xu YQ
;
Niu ZC
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2012/01/06
1.3 MU-M
STRAIN RELIEF
LASERS
SUBSTRATE
PHOTOLUMINESCENCE
DISLOCATIONS
OPERATION
RANGE
GaAs-Based Metamorphic Long-Wavelength InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 067801
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/03/08
MU-M
LASER
ISLANDS
Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 12, 页码: art. no. 123705
Chen J
;
Fan WJ
;
Xu Q
;
Zhang XW
;
Li SS
;
Xia JB
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浏览/下载:82/4
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提交时间:2010/03/08
EMISSION
SPECTRA
LASERS
8-BAND
Monolithic integration of sampled grating DBR with electroabsorption modulator by combining selective-area-growth MOCVD and quantum-well intermixing
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 3670-3672
Liu, HB
;
Zhao, LJ
;
Pan, JQ
;
Zhu, HL
;
Zhou, F
;
Wang, BJ
;
Wang, W
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/03/08
TUNING RANGE
LASERS
TRANSMITTER
PERFORMANCE
MOVPE
Effects of coupling lens on optical refrigeration of semiconductors
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 1878-1880
Ding, K
;
Zeng, YP
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浏览/下载:52/3
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提交时间:2010/03/08
THULIUM-DOPED GLASS
UP-CONVERSION
LASER
Electronic structure and optical gain of wurtzite ZnO nanowires
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 18, 页码: art. no. 181101
Zhang, XW
;
Li, JB
;
Li, SS
;
Xia, JB
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/03/08
ROOM-TEMPERATURE
QUANTUM-WELLS
NANOBELTS
GROWTH
ARRAYS
LASERS
WIRES
FIELD
Time-resolved photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
thin solid films, 2006, 卷号: 498, 期号: 1-2, 页码: 188-192
Kong LM
;
Cai JF
;
Wu ZY
;
Gong Z
;
Niu ZC
;
Feng ZC
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/04/11
time-resolved photoluminescence
InAs self-assembled QDs
migration of carriers
1.3 MU-M
DEPENDENT RADIATIVE DECAY
THERMAL REDISTRIBUTION
EXCITONS
RECOMBINATION
RELAXATION
LIFETIMES
EMISSION
EPITAXY
LASERS
Influence of growth parameters of frequency-radio plasma nitrogen source on extending emission wavelengths from 1.31 mu m to 1.55 mu m GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular-beam epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 1005-1008
作者:
Yang XH
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/04/11
LASERS
TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 40529
作者:
Wu DH
;
Niu ZC
;
Jiang DS
;
Xu YQ
收藏
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浏览/下载:81/0
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提交时间:2010/04/11
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting III-V materials
MU-M
LASERS
TEMPERATURE
SURFACTANT
NM
Optical characteristics of InAs quantum dots on GaAs matrix by using various InGaAs structures
期刊论文
journal of wuhan university of technology-materials science edition, 2006, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 76-79
Kong LM (Kong Lingmin)
;
Cai JF (Cai Jiafa)
;
Wu ZY (Wu Zhengyun)
;
Gong Z (Gong Zheng)
;
Fang ZD (Fang Zhidan)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/04/11
InGaAs layer
InAs quantum dots
time-resolved PL spectra
1.3 MU-M
CARRIER DYNAMICS
LASERS
GROWTH
WAVELENGTH
EMISSION
ISLANDS
LAYERS
SIZE
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