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科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [8]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2007 [1]
2004 [1]
2003 [3]
2002 [1]
1999 [1]
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学科主题
半导体物理 [9]
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学科主题:半导体物理
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Strong up-conversion emissions in ZnO:Er3+, ZnO:Er3+-Yb3+ nanoparticles and their surface modified counterparts
期刊论文
journal of colloid and interface science, 2011, 卷号: 358, 期号: 2, 页码: 334-337
作者:
Li JB
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浏览/下载:54/5
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提交时间:2011/07/05
Sol-gel
ZnO:Er-Yb nanoparticles
Up-conversion
Core/shell
Three-photon processes
NANOCRYSTALLINE YTTRIA
OPTICAL SPECTROSCOPY
GLASSES
LUMINESCENCE
TEMPERATURE
ER3+
YB3+
GREEN
FILMS
OXIDE
MBE growth of very short period InAs/GaSb type-II superlattices on (001) GaAs substrates
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 21, 页码: 6690-6693
Hao RT (Hao Ruiting)
;
Xu YQ (Xu Yingqiang)
;
Zhou ZQ (Zhou Zhiqiang)
;
Ren ZW (Ren Zhengwei)
;
Ni HQ (Ni Haiqiao)
;
He ZH (He Zhenhong)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/03/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Molecular beam epitaxy growth and photoluminescence of type-II (GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs bilayer quantum well
期刊论文
chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 1831-1834
Xu, XH
;
Niu, ZC
;
Ni, HQ
;
Xu, YQ
;
Zhang, W
;
He, ZH
;
Han, Q
;
Wu, RH
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浏览/下载:210/60
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提交时间:2010/03/09
LONG-WAVELENGTH LASERS
Magnetic properties and rectifying behaviour of silicon doped with gadolinium
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1469-1473
Zhou JP
;
Chen NF
;
Song SL
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Lin LY
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/08/12
magnetic semiconductor
magnetic p-n junction
ion beam epitaxy
gadolinium silicides
METAL-INSULATOR-TRANSITION
P-N-JUNCTION
INDUCED FERROMAGNETISM
SI/SIER INTERFACE
BEAM EPITAXY
SEMICONDUCTORS
EXCITATION
MAGNETORESISTANCE
ALLOYS
Selectively excited photoluminescence of GaAs1-xNx single quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4863-4865
作者:
Tan PH
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浏览/下载:142/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAASN ALLOYS
NITROGEN
LUMINESCENCE
PRESSURE
STATES
ENERGY
Optical study of localized and delocalized states in GaAsN/GaAs
会议论文
symposium on gan and related alloys held at the mrs fall meeting, boston, ma, dec 01-05, 2003
作者:
Tan PH
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/10/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ALLOYS
GAAS1-XNX
PHOTOLUMINESCENCE
RELAXATION
Selectively excited photoluminescence of GaAs1-xSbx/GaAs single quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 20, 页码: 3795-3797
Luo XD
;
Hu CY
;
Xu ZY
;
Luo HL
;
Wang YQ
;
Wang JN
;
Ge WK
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE
BAND ALIGNMENT
GAAS
DOTS
LASERS
OPERATION
OFFSETS
Analysis of the interfaces of [NiFe/Mo](30) and [Fe/Mo](30) multilayers
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 1999, 卷号: 11, 期号: 4, 页码: 945-954
Luo GM
;
Jiang HW
;
Wu F
;
Yan ML
;
Mai ZH
;
Lai WY
;
Dong C
;
Wang YT
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
X-RAY-DIFFRACTION
GIANT MAGNETORESISTANCE
DIFFUSE-SCATTERING
REFLECTION
SUPERLATTICES
ROUGHNESS
A transition layer model and its application to resonant tunneling in heterostructures
期刊论文
physics letters a, 1996, 卷号: 216, 期号: 0, 页码: 183-186
Song Y
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提交时间:2010/11/17
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