QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：兰州大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 A simple method to eliminate the surface defects of diamond particles 期刊论文 POWDER TECHNOLOGY, 2014, 卷号: 266, 页码: 299-302 作者:  Teng, F;  Bao, Z;  Zhang, P;  Zhang, GZ;  Gong, CS 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/05/25 Crystal growth  Diamond particles  HFCVD  Single crystal homoepitaxial   Homoepitaxial growth and properties of 4H-SiC by chemical vapor deposition 期刊论文 Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: SUPPL., 页码: 70-73 作者:  Gao, Xin;  Sun, Guosheng;  Li, Jinmin;  Zhao, Wanshun;  Wang, Lei 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/10/21 Doping concentration  Epilayer  Hall measurement  Phonon peak   水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜 期刊论文 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 935-940 作者:  高欣;  孙国胜;  李晋闽;  赵万顺;  王雷 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/04/27 碳化硅  化学气相沉积  原子力显微镜  Raman  光致发光  Cold wall chemical vapor deposition  Epilayer  Homoepitaxial growth  Nomarski microscopy