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内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2018 [6]
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Quality evaluation of homopetaxial 4H-SiC thin films by a Raman scattering study of forbidden modes
期刊论文
OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2018, 卷号: 8, 期号: 1, 页码: 119-127
作者:
Feng, Zhaochi
;
Feng, Zhe Chuan
;
Wan, Lingyu
;
Zhao, Dishu
;
Wang, Fangze
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/06/20
Process optimization for homoepitaxial growth of thick 4H-SiC films via hydrogen chloride chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2018, 卷号: 504, 页码: 7-12
作者:
X.F. Liu
;
G.G. Yan
;
B. Liu
;
Z.W. Shen
;
Z.X. Wen
;
J. Chen
;
W.S. Zhao
;
L. Wang
;
F. Zhang
;
G.S. Sun
;
Y.P. Zeng
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/11/15
Anisotropic Three-Dimensional Thermal Stress Modeling and Simulation of Homoepitaxial AlN Single Crystal Growth by the Physical Vapor Transport Method
期刊论文
CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2018, 卷号: 18, 页码: 2998-3007
作者:
Wang, Qikun[1]
;
Huang, Jiali[2]
;
Wang, Zhihao[3]
;
He, Guangdong[4]
;
Lei, Dan[5]
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/04/22
Effect of Nb doping on structural and electrical properties of homoepitaxial rutile TiO2:Nb films
期刊论文
CERAMICS INTERNATIONAL, 2018, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 2432-2435
作者:
Wang, Weiguang
;
Feng, Xianjin
;
Luan, Caina
;
Ma, Jin
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/11
Films
Electrical properties
TiO2
The influence of temperature on the silicon droplet evolution in the homoepitaxial growth of 4H-SiC
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2018, 卷号: Vol.504, 页码: 37-40
作者:
Niu Yingxi
;
Tang Xiaoyan
;
Sang Ling
;
Li Yun
;
Kong Lingyi
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/26
Surfaces
Defects
Chemical
vapor
deposition
processes
Semiconducting
materials
Semiconducting
silicon
compounds
The defect evolution in homoepitaxial AlN layers grown by high-temperature metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 19, 页码: 2720-2728
作者:
Jiang, K.
;
Sun, X. J.
;
Ben, J. W.
;
Jia, Y. P.
;
Liu, H. N.
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提交时间:2019/09/17
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screw dislocations
threading dislocations
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epitaxy
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films
algan
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