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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effective recombination velocity of textured surfaces 期刊论文 applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 19, 页码: art. no. 193107 Xiong KL (Xiong Kanglin); Lu SL (Lu Shulong); Jiang DS (Jiang Desheng); Dong JR (Dong Jianrong); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：119/3  |  提交时间：2010/06/04 carrier lifetime  numerical analysis  semiconductor thin films  surface recombination  surface texture   Dielectric relaxation and giant dielectric constant of nb-doped cacu(3)ti(4)o(12) ceramics under dc bias voltage 期刊论文 Physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 3, 页码: 562-566 作者:  Liu, Peng;  He, Ying;  Zhou, Jian-ping;  Mu, Chun-hong;  Zhang, Huai-wu 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Dielectric relaxation and giant dielectric constant of Nb-doped CaCu3Ti4O12 ceramics under dc bias voltage 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 3, 页码: 562-566 Liu P; He Y; Zhou JP; Mu CH; Zhang HW 收藏  |  浏览/下载：156/21  |  提交时间：2010/03/08 COPPER-TITANATE  GRAIN-BOUNDARY  BEHAVIOR   Effect of rapid thermal annealing on InGaAs/GaAs quantum wells 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 352-355 Zhuang QD; Li JM; Zeng YP; Yoon SF; Zheng HQ; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  InGaAs/GaAs  quantum wells  interdiffusion  quantum dots  MBE  DOT SUPERLATTICE   Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si(100) during high-temperature annealing 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 556-559 Liu JP; Kong MY; Liu XF; Li JP; Huang DD; Li LX; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 strain relaxation  Si SiGe  interdiffusion  morphological evolution  QUANTUM DOTS  RELAXATION  INAS  STRANSKI-KRASTANOW GROWTH   New insight into the origin of twin and grain boundary in InP 期刊论文 solid state communications, 1999, 卷号: 110, 期号: 7, 页码: 403-406 Han Y; Lin L 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 semiconductors  synchrotron radiation  LEC GROWTH  CZOCHRALSKI  SINGLE-CRYSTALS   New insight into the origin of twin and grain boundary in inp 期刊论文 Solid state communications, 1999, 卷号: 110, 期号: 7, 页码: 403-406 作者:  Han, Y;  Lin, L 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Semiconductors  Synchrotron radiation   Characterization of strain relaxation in As ion implanted Si1-xGex epilayers grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 7, 页码: 845-847 Zou LF; Wang ZG; Sun DZ; Fan TW; Liu XF; Zhang JW 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 HETEROSTRUCTURES  PRECIPITATION  ALLOYS   Twin and grain boundary in InP: A synchrotron radiation study 会议论文 symposium on applications of synchrotron radiation techniques to materials science iv, san francisco, ca, apr 13-17, 1998 Han YJ; Jiang JH; Wang ZG; Liu XL; Jiao JH; Tian YL; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/10/29