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Electronic energy levels in an asymmetric quantum-dots-in-a-well structure for infrared photodetectors 期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2645-2648
作者:  Xu B
收藏  |  浏览/下载：42/4  |  提交时间：2010/03/08
Influence of different interlayers on growth mode and properties of InN by MOVPE 期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 238-241
Zhang, RQ; Liu, XL; Kang, TT; Hu, WG; Yang, SY; Jiao, CM; Zhu, QS
收藏  |  浏览/下载：51/3  |  提交时间：2010/03/08
High-precision determination of lattice constants and structural characterization of InN thin films 期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2006, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 275-279
Wu MF; Zhou SQ; Vantomme A; Huang Y; Wang H; Yang H
收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2010/04/11
A 1.3μm Low-Threshold Edge-Emitting Laser with AlInAs-Oxide Confinement Layers 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 620-625
作者:  Wang Wei;  Wang Wei
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23
Initial stages of GaN/GaAs (100) growth by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
journal of electronic materials, 2000, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 177-182
作者:  Zhao DG
收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12
Electronic structures of T-shaped quantum wires 期刊论文
chinese physics letters, 1997, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 371-374
Li SS; Xia JB
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/17
SIMULATION OF LATERAL CONFINEMENT IN VERY NARROW CHANNELS 期刊论文
physical review b, 1994, 卷号: 49, 期号: 24, 页码: 17452-17455
DU QH; WANG ZG; MAO JM
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/15

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