QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Optical properties of the crescent and coherent applications 期刊论文 optics express, 2011, 卷号: 19, 期号: 9, 页码: 8303-8311 作者:  Jiang B;  Yan XY 收藏  |  浏览/下载：62/7  |  提交时间：2011/07/06 ENHANCED RAMAN-SCATTERING  GOLD NANOPARTICLES  RESONANCE  SPECTROSCOPY  NANOCAVITIES   Abnormal photoabsorption in high resistance GaN epilayer 期刊论文 acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 8048-8051 Liu WB (Liu Wen-Bao); Zhao DG (Zhao De-Gang); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/12/27 GaN  exciton  photovoltaic spectroscopy  MSM  photoresponsivity   The exciton-longitudinal-optical-phonon coupling in InGaN/GaN single quantum wells with various cap layer thicknesses 期刊论文 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: art. no. 117801 Hu XL (Hu Xiao-Long); Zhang JY (Zhang Jiang-Yong); Shang JZ (Shang Jing-Zhi); Liu WJ (Liu Wen-Jie); Zhang BP (Zhang Bao-Ping) 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/12/28 exciton-longitudinal-optical-phonon  InGaN/GaN single quantum well  GaN cap layer  Huang-Rhys factor   Fabrication and excitation-power-density-dependent micro-photoluminescence of hexagonal nanopillars with a single InGaAs/GaAs quantum well 期刊论文 nanotechnology, 2008, 卷号: 19, 期号: 27, 页码: art. no. 275304 Yang, L; Motohisa, J; Tomioka, K; Takeda, J; Fukui, T; Geng, MM; Jia, LX; Zhang, L; Liu, YL 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/03/08 INTERNAL ELECTRIC-FIELDS  OPTICAL-PROPERTIES  EPITAXIAL-GROWTH  BUILDING-BLOCKS  (111)B SURFACES  NANOWIRES  INTENSITY  DEVICES  GAAS