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Fabrication of substrates with a useful layer of monocrystalline semiconductor material 专利
专利号: US10002763, 申请日期: 2018-06-19, 公开日期: 2018-06-19
作者:  LETERTRE, FABRICE;  GHYSELEN, BRUNO;  RAYSSAC, OLIVIER
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Light emitting device and lighting apparatus 专利
专利号: US20170170365A1, 申请日期: 2017-06-15, 公开日期: 2017-06-15
作者:  LIM, WOO SIK;  SEO, JAE WON
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Light-emitting diode, light-emitting diode lamp, and illumination device 专利
专利号: US9299885, 申请日期: 2016-03-29, 公开日期: 2016-03-29
作者:  AIHARA, NORIYUKI
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Solderable pad fabrication for microelectronic components 专利
专利号: US20150333476A1, 申请日期: 2015-11-19, 公开日期: 2015-11-19
作者:  ZHONG, LIJUAN;  STEPHAN, JOSEPH MICHAEL;  NGUYEN, THE NGOC;  LUNDE, CARL KRISTIAN
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Joining methods for bulk metallic glasses 专利
专利号: EP2925484A1, 申请日期: 2015-10-07, 公开日期: 2015-10-07
作者:  CHAPARALA, SATISH, CHANDRA;  MOORE, LISA, ANNE
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Copper-nickel-molybdenum alloy thin film for integrated circuits comprises nickel as solution element, molybdenum as diffusion barrier element, and copper, where nickel and molybdenum are co-doped with copper and exhibit specific enthalpies. 专利
申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-05-30
作者:  LI X ZHANG X ZHU J WANG Q DONG C
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Copper-nickel-molybdenum alloy film comprises solid-solution nickel and diffusion-barrier molybdenum doped in copper film, with molybdenum showing positive mixing enthalpy to copper and negative mixing enthalpy to nickel. 专利
申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2012-04-19
作者:  LI X ZHANG X ZHU J WANG Q DONG C
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Semiconductor device 专利
专利号: US7449723, 申请日期: 2008-11-11, 公开日期: 2008-11-11
作者:  MASSA, JOHN STEPHEN;  WOOD, SIMON ANDREW
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Ohmic electrode structure and semiconductor element 专利
专利号: WO2008120432A1, 申请日期: 2008-10-09, 公开日期: 2008-10-09
作者:  SHIMAMOTO, TOSHITAKA;  YOSHIKAWA, KENJI;  MAKITA, KOUJI
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InP based VCSEL with zinc-doped tunnel-junction and diffusion blocking layer 专利
专利号: EP1679774A2, 申请日期: 2006-07-12, 公开日期: 2006-07-12
作者:  BOUR, DAVID;  LIN, CHAOKUN;  TAN, MICHAEL;  PEREZ, BILL
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